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多选题
关于间接转换型平板探测器结构的叙述,正确的是(  )。
A

碘化铯晶体层

B

非晶硅TFT阵列

C

光电二极管

D

行驱动电路

E

表面电极


参考答案

参考解析
解析:
非晶硅平板探测器其基本结构为碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路以及图像信号读取电路四部分。
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考题 关于平板探测器的叙述,错误的是A、有直接转换型和间接转换型B、其极限分辨率比屏/片系统低C、其MTF比屏/片系统低D、其DQE比屏/片系统高E、DQE比CR系统高

考题 关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.属于间接转换型平板探测器B.常见的多为碘化铯+非晶硅型C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

考题 对间接转换型数字平板探测器的分辨率下降关系最小的是()。A.碘化铯的其针状(或称柱状)结构B.闪烁体层制作得较厚C.像素太小D.像素太大E.光电二极管/晶体管阵列放置在闪烁体的射出表面上

考题 关于平板检测器的叙述,错误的是A.有直接转换型和间接转换型B.其极限分辨率比屏-片系统低C.其MTF比屏-片系统低D.其DQ正比屏-片系统高E.DQE比CR系统高

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考题 关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、玻璃基板B、集电矩阵C、非晶硒层D、半导体层E、顶层电极

考题 叙述直接转换型平板探测器的工作原理。

考题 关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、表面电极B、基板层C、光电二极管D、非晶硅TFT阵列E、碘化铯晶体层

考题 间接转换型平板探测器是一种以()加()光电二极管阵列为核心的X线影像探测器。

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考题 间接转换型平板探测器是一种以()和()为核心的X线影像探测器。

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考题 单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A 表面电极B 基板层C 光电二极管D 非晶硅TFT阵列E 碘化铯晶体层

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考题 单选题关于平板检测器的叙述,错误的是(  )。A 有直接转换型和间接转换型B 其极限分辨率比屏/片系统低C 其MTF比屏/片系统高D 其DQE比屏/片系统高E DQE比CR系统高

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考题 单选题关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()A 属于间接转换型平板探测器B 常见的多为碘化铯+非晶硅型C 碘化铯层的晶体直接生长在基板上D 碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

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