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单选题
某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗角正切值tanδ，采用工频电压频率f=50HZ电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指针为0，此时电容C4的电容量为0.08μF，则介质损耗正切值为（）
A

0.02

B

0.08

C

0.3184

D

1

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 用西林电桥测量介质损耗角正切，可以灵敏地发现（ ）。A.绝缘普遍性受潮 B.绝缘局部磨损 C.绝缘的局部受潮 D.绝缘中有小气泡
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考题 用西林电桥测量介质损耗角正切，可以灵敏地发现（）。A绝缘普遍性受潮B绝缘局部磨损C绝缘的局部受潮D绝缘中有小气泡
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考题 测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源，向测量回路上施加一个反干扰电压，使电桥平衡后再加试验电压的方法称为屏蔽法。A对B错
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考题 在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。A对B错
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考题 计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。
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考题 测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源，向测量回路上施加一个反干扰电压，使电桥平衡后再加试验电压的方法称为屏蔽法。
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考题 西林电桥是一种直流电桥，可以测量材料和设备的电容值和介质损耗角的正切值。
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考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在（）范围内。
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考题 介质损失角正切值tanσ的测量通常采用（）。A、高压交流平衡电桥B、晶体管兆欧表C、直流双臂电桥D、直流单臂电桥
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考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 以下设备可用于测量介质损耗的有（）。A、西林电桥B、介质试验器C、智能型介质损耗测量仪D、单臂电桥
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考题 某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ，采用的电压频率f=50Hz，电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指零，此时电容C4的电容量为0.08μF，则介质损耗正切值tanδ为（）。A、0.02B、0.08C、0.3184D、1
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考题 常用的非破坏性试验有（）。A、绝缘电阻和吸收比测量B、直流泄漏电流测量C、绝缘介质损耗角正切值测量D、工频耐压试验
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考题 问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。
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考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切，可以灵敏地发现（）。A 绝缘普遍性受潮B 绝缘局部磨损C 绝缘的局部受潮D 绝缘中有小气泡
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考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。A 可以试品一端接地B 试品设在高压端C 不适用于现场试验D 操作方便
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考题 判断题在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。A 对B 错
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考题 判断题测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源，向测量回路上施加一个反干扰电压，使电桥平衡后再加试验电压的方法称为屏蔽法。A 对B 错
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考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用正接法（）。A 需要试品两端对地绝缘B 试品设在低压端C 适用于现场试验D 需要注意操作人员安全
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考题 填空题测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在（）范围内。
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考题 判断题西林电桥是一种直流电桥，可以测量材料和设备的电容值和介质损耗角的正切值。A 对B 错
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