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某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ,采用的电压频率f=50Hz,电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指零,此时电容C4的电容量为0.08μF,则介质损耗正切值tanδ为()。

  • A、0.02
  • B、0.08
  • C、0.3184
  • D、1

参考答案

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考题 测量介质损耗角正切值最常用的仪器设备是西林电桥。() 此题为判断题(对,错)。

考题 用西林电桥测量介质损耗角正切,可以灵敏地发现( )。A.绝缘普遍性受潮 B.绝缘局部磨损 C.绝缘的局部受潮 D.绝缘中有小气泡

考题 用西林电桥测量介质损耗角正切,可以灵敏地发现()。A绝缘普遍性受潮B绝缘局部磨损C绝缘的局部受潮D绝缘中有小气泡

考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。A对B错

考题 M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。A对B错

考题 在绝缘试验时,通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。A对B错

考题 在绝缘试验时,通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。

考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗正切值tanδ和电容值,应符合下列规定:在温室不低于()℃ 下。A、10%B、20%C、30%D、40%

考题 QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器,适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。

考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。

考题 M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。

考题 测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源,向测量回路上施加一个反干扰电压,使电桥平衡后再加试验电压的方法称为屏蔽法。

考题 西林电桥是一种直流电桥,可以测量材料和设备的电容值和介质损耗角的正切值。

考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,应符合以下规定()A、在室温不低于10℃的条件下,套管主绝缘类型电容式油浸纸tanδ(%)最大值0.7(500kV套管0.5);B、在室温不低于10℃的条件下,套管主绝缘类型电容式气体tanδ(%)最大值1.5;C、在室温不低于10℃的条件下,套管主绝缘类型非电容式浇铸树脂tanδ(%)最大值2.0;D、在室温不低于10℃的条件下,套管主绝缘类型非电容式复合绝缘tanδ(%)最大值由供需双方商定;E、电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在±5%范围内。

考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在()范围内。

考题 介质损失角正切值tanσ的测量通常采用()。A、高压交流平衡电桥B、晶体管兆欧表C、直流双臂电桥D、直流单臂电桥

考题 电容式胶黏纸套管的介质损耗角正切值超过1.5时,应取油样进行绝缘油试验。

考题 单选题某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗角正切值tanδ,采用工频电压频率f=50HZ电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指针为0,此时电容C4的电容量为0.08μF,则介质损耗正切值为()A 0.02B 0.08C 0.3184D 1

考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切,可以灵敏地发现()。A 绝缘普遍性受潮B 绝缘局部磨损C 绝缘的局部受潮D 绝缘中有小气泡

考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时,采用反接法()。A 可以试品一端接地B 试品设在高压端C 不适用于现场试验D 操作方便

考题 判断题在绝缘试验时,通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。A 对B 错

考题 判断题M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。A 对B 错

考题 判断题当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。A 对B 错

考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时,采用正接法()。A 需要试品两端对地绝缘B 试品设在低压端C 适用于现场试验D 需要注意操作人员安全

考题 填空题测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在()范围内。

考题 判断题西林电桥是一种直流电桥,可以测量材料和设备的电容值和介质损耗角的正切值。A 对B 错