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判断题
在使用YBT250时，在检测低电平时，必须升高参考电平。
A

对

B

错

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 在使用YBT250时,在检测低电平时,必须升高参考电平。 A．错误B．正确
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考题 执行指令MOVXA，﹫DPTR时，WR.RD脚的电平为()。A.WR高电平，RD低电平B.WR低电平，RD高电平C.WR高电平，RD高电平D.WR低电平，RD低电平
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考题 Pentium微处理器在突发式存储器读周期期间，W／R和CACHE信号分别为______。A．高电平和高电平B．高电平和低电平C．低电平和高电平D．低电平和低电平
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考题 8086微处理器在最小模式下执行输出操作时，下列哪一个选项所描述的状态是正确的?______A．RD低电平，WR高电平，M／IO高电平B．RD高电平，WR低电平，M／IO高电平C．RD低电平，WR高电平，M／IO低电平D．RD高电平，WR低电平，M／IO低电平
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考题 8086微处理器在最小模式下执行输出操作时，下列( )所描述的状态是正确的。A．RD低电平，WR高电平，M/IO高电平B．RD高屯子，WR低电平，M/IO高电平C．RD低电子，WR高电平，M/IO低电平D．RD高电平，WR低电平，M/IO低电平
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考题 在监视回答编码脉冲间隔时，在同步间隔存在期间，使用可预置的减计数器监视时钟计数，当同步间隔脉冲结束时，10微秒和1微秒的减计数器的借位（CT）输出分别为（）时，说明间隔在公差范围之内。A、0（低电平）和0（低电平）B、0（低电平）和1（高电平）C、1（高电平）和0（低电平）D、1（高电平）和1（高电平）
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考题 8253/8254无论工作在哪种方式在初始化编程时写入控制字后输出端OUT便（）。A、变为高电平B、变为低电平C、变为相应的高电平或低电平D、保持原状态不变直至计数结束
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考题 INTEL 8088 CPU可以访问的存储器空间可达1M，使用的地址信号线为A19～A0，CPU执行一次存储器读操作时，有效控制信号是（）。A、RD低电平，WR三态，M/IO低电平B、RD三态，WR低电平，M/IO高电平C、RD低电平，WR高电平，M/IO高电平D、RD高电平，WR低电平，M/IO高电平
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考题 8254无论工作在哪种方式下，在初始化编程时，一旦写入控制字后输出端OUT便（）。A、变为高电平B、变为低电平C、变为相应的高电平或低电平D、保持原来状态不变，直至计数结束
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考题 利用示波器观察低电平信号及包含着较高或较低频率成分的波形时，必须使用双股合线。
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考题 触摸传感器在触摸时返回（）A、高电平B、低电平C、由程序决定D、随机
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考题 光电管在受光时输出低电平，在不受光时输出高电平。（）
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考题 8086执行OUTDX，AL指令时其引脚（）。A、M／IO输出高电平、WR输出高电平B、M／iO输出低电平，RD输出低电平C、M／IO输出低电平、WR输出低电平D、M／IO输出高电平、RD输出高电平
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考题 在扩展外部程序存储器时，8031单片机的（）管脚必须接低电平。
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考题 TTL与非门输入端全部接地（低电平）时，输出（）。A、零电平B、低电平C、高电平D、可能是低电平，也可能是高电平
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考题 当集成运算放大器工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
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考题 在使用YBT250时，在检测低电平时，必须升高参考电平。
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考题 执行指令MOVXA，﹫DPTR时，WR、RD脚的电平为（）。A、WR高电平，RD低电平B、WR低电平，RD高电平C、WR低电平，RD低电平
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考题 当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
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考题 正边沿触发器在（）时，输出端的逻辑状态会发生改变（即触发有效）。A、输入逻辑电平改变B、CP脉冲从低电平变成高电平C、CP脉冲从高电平变成低电平D、高电平
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考题 JT－C车载设备主机提供过绝缘节信息JY，载频为：750Hz、850Hz时JY信息为；载频为1700Hz、2000Hz时JY信息为；以下哪种组合满足题目要求（）。A、高电平，低电平B、高电平，高电平C、低电平，高电平D、低电平，低电平
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考题 某中断请求下降沿有效，即只有输入（）信号时才中断。A、低电平B、高电平C、由低电平变为高电平D、由高电平变为低电平
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考题 判断题在使用YBT250时，在检测低电平时，必须升高参考电平。A 对B 错
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考题 单选题TTL非门在输入端悬空时输出（）状态。A 高电平B 低电平C 高阻态D 不确定
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考题 单选题JT－C车载设备主机提供过绝缘节信息JY，载频为：750Hz、850Hz时JY信息为；载频为1700Hz、2000Hz时JY信息为；以下哪种组合满足题目要求（）。A 高电平，低电平B 高电平，高电平C 低电平，高电平D 低电平，低电平
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考题 单选题8088CPU在最小模式下对I/0进行读操作时，有效控制信号为（）。A RD低电平，三态，I0/M低毛平B RD三态，WR低电平，I0/M高电平C D低电平，限三态，I0/M高毛平D RD三态，WR低电平，I0/M低电平
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