考题
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
考题
LED地材料制备包括什么?()
A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长
考题
每一个概念都包括内涵与外延两个方面。概念的内涵和外延的关系是( )
A.内涵越大，外延越大
B.内涵越小，外延越小
C.内涵越大，外延越小
D.内涵越小，外延越大
考题
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
考题
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
考题
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
考题
LED的材料制备包括什么（）。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长
考题
目前LED产业链主要包括（）。A、衬底制造B、外延及芯片制造C、封装D、应用
考题
“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
考题
任何一个概念都有它的内涵和外延，外延的大小与内涵成反比关系。内涵越多，外延就越小；内涵越少，外延就越大。
考题
填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。
考题
单选题半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A
①②④B
①②③④C
②③④D
③④
考题
填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
考题
判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A
对B
错
考题
问答题什么叫做分子束外延？什么叫做同质外延？什么叫做异质外延？
考题
问答题什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
考题
问答题什么是液相外延、气相外延和分子束外延？
考题
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A
对B
错
考题
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
考题
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A
对B
错