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问答题
从负离子的六方密堆积出发， （1）正离子填满一半的四面体位置； （2）正离子填满所有的八面体位置； （3）正离子填满八面体结构的交替层。 三种情况各产生什么结构类型？
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考题
关于光电效应的产物,正确的是A.韧致辐射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子S
关于光电效应的产物，正确的是A.韧致辐射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.韧致辐射、负电子和负离子
考题
某化合物在一个具有固定狭峰位置和恒定磁场强度B的质谱仪中分析，当加速电压V慢慢地增加时，则首先通过狭峰的是：（）A、质量最小的正离子B、质量最大的负离子C、质荷比最低的正离子D、质荷比最高的正离子
考题
根据电价规则，在下面情况下，空隙内各需填入何种价数的阳离子，并对每一种结构举出—个例子。 （1）所有四面体空隙位置均填满； （2）所有八面体空隙位置均填满； （3）填满—半四面体空隙位置； （4）填满—半八面体空隙位置
考题
单选题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（）。A
间隙和空位质点同时成对出现B
正离子空位和负离子空位同时成对出现C
正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D
正离子间隙和位错同时成对出现
考题
问答题从负离子的立方密堆积出发， （1）正离子填满所有四面体位置； （2）正离子填满一半四面体位置，如T+位置； （3）正离子填满所有的八面体位置； （4）正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。
考题
单选题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。A
正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B
正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C
正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D
正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
考题
问答题以NaCl晶胞为例，试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量。
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