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某化合物在一个具有固定狭峰位置和恒定磁场强度B的质谱仪中分析，当加速电压V慢慢地增加时，则首先通过狭峰的是：（）

  • A、质量最小的正离子
  • B、质量最大的负离子
  • C、质荷比最低的正离子
  • D、质荷比最高的正离子

参考答案

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考题 在磁场强度保持恒定，而加速电压逐渐增加的质谱仪中，最先通过固定的收集器狭缝的是（）。A质荷比最低的正离子B质量最高的负离子C质荷比最高的正离子D质量最低的负离子
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考题 在磁场强度保持恒定，而加速电压逐渐增加的质谱仪中，试样中哪一种离子首先通过固定的收集器狭缝？（）A、质荷比最高的正离子B、质荷比最低的正离子C、质量最大的正离子D、质量最小的正离子
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考题 某化合物用一个具有固定狭缝位置和恒定加速电压V的质谱分析仪进行分析时，当磁场强度H慢慢增加时，首先通过狭缝的是（）。A、质荷比最高的正离子B、质荷比最低的正离子C、质量最大的正离子D、质量最小的正离子
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考题 一般质谱图上，荷质比最大的峰为（）。A、分子离子峰B、碎片离子峰C、亚稳离子峰D、同位素离子峰
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考题 判断分子离子峰的正确方法是（）A、增加进样量，分子离子峰强度增加B、谱图中强度最大的峰C、质荷比最大的峰D、降低电子轰击电压，分子离子峰强度增加
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考题 质谱图中质荷比最大的峰不一定是分子离子峰但分子离子峰一定是质谱图中质荷比最大的峰。
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考题 在质谱仪中当收集正离子的狭缝位置和加速电压固定时，若逐渐增加磁场强度H，对具有不同质荷比的正离子，其通过狭缝的顺序如何变化？（）A、从大到小B、从小到大C、无规律D、不变
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考题 在质谱图中，被称为基峰或标准峰的是（）A、分子离子峰B、质荷比最大的峰C、强度最大的离子峰D、强度最小的离子峰
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考题 通常，大气中的正离子与负离子的平均值为（）A、正离子与负离子的平均值大致相当B、负离子大于正离子C、正离子大于负离子D、负离子远大于正离子
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考题 下列关于质谱仪的质量范围的说法，哪一个是正确的？（）A、仪器所能测量的分子的质量范围B、仪器所能测量的离子的质荷比的范围C、仪器所能测量的离子的质量范围D、仪器所能测量的分子的质荷比的范围
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考题 质谱分析是一种测量离子（）的分析方法。A、质荷比B、荷质荷比C、相对原子（离子）质量D、质量分数
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考题 解析一个化合物的H—NMR谱时，需要分析的信息有（）A、化学位移B、峰面积C、信号裂分及偶合常数D、质荷比E、保留时间
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考题 热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。A、正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B、正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C、正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D、正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
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考题 除同位素离子峰外，如果质谱中存在分子离子峰，则其一定是（）A、基峰B、质荷比最高的峰C、偶数质量峰D、奇数质量峰
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考题 样品分子在质谱仪中发生的断裂过程，会形成具有单位正电荷而质荷比（m/z）不同的正离子，当其通过磁场时的动量如何随质荷比的不同而改变？其在磁场的偏转度如何随质荷比的不同而改变？
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考题 电解质溶液中正离子迁移数是指（）A、正离子迁移的物质的量B、正离子迁移速率/所有离子迁移速率之和C、正离子迁移电荷数/负离子迁移电荷数D、正离子迁移的物质的量/总导电量的法拉第数
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考题 单选题通常，大气中的正离子与负离子的平均值为（）A 正离子与负离子的平均值大致相当B 负离子大于正离子C 正离子大于负离子D 负离子远大于正离子
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考题 单选题判断分子离子峰的正确方法是（）A 增加进样量，分子离子峰强度增加B 谱图中强度最大的峰C 质荷比最大的峰D 降低电子轰击电压，分子离子峰强度增加
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考题 单选题质谱分析是一种测量离子（）的分析方法。A 质荷比B 荷质荷比C 相对原子（离子）质量D 质量分数
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考题 问答题样品分子在质谱仪中发生的断裂过程，会形成具有单位正电荷而质荷比（m/z）不同的正离子，当其通过磁场时的动量如何随质荷比的不同而改变？其在磁场的偏转度如何随质荷比的不同而改变？
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考题 单选题在质谱仪中当收集正离子的狭缝位置和加速电压固定时，若逐渐增加磁场强度H，对具有不同质荷比的正离子，其通过狭缝的顺序如何变化？（）A 从大到小B 从小到大C 无规律D 不变
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考题 判断题质谱图中质荷比最大的峰不一定是分子离子峰但分子离子峰一定是质谱图中质荷比最大的峰。A 对B 错
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考题 单选题除同位素离子峰外，如果质谱中存在分子离子峰，则其一定是（）A 基峰B 质荷比最高的峰C 偶数质量峰D 奇数质量峰
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考题 单选题在质谱图中，被称为基峰或标准峰的是（）A 分子离子峰B 质荷比最大的峰C 强度最大的离子峰D 强度最小的离子峰
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