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名词解释题
不等位导体

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考题 目前对于ABO基因学说较能被接受的是A、单基因B、等位基因学说C、复等位基因学说D、三等位基因学说E、四等位基因学说

考题 目前一般认为AB0血型基因是A.等位基因B.二复等位基因C.三复等位基因D.四复等位基因E.五复等位基因

考题 正确叙述半导体的是()。 A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

考题 由一种导体组成的闭合回路,不论导体截面、长度及各处的温度如何分布,导体回路中不产生任何电势。()

考题 目前一般认为ABO血型基因是A、等位基因B、二复等位基因C、三复等位基因D、四复等位基因E、五复等位基因

考题 建筑物内部防雷装置由(  )等组成。A.接闪器、引下线和接地装置 B.阀型避雷器、等位连接件和接地装置 C.屏蔽导体、金属构件和电涌保护器 D.屏蔽导体、等电位连接件和电涌保护器

考题 目前一般认为ABO血型基因是A.四复等位基因 B.五复等位基因 C.等位基因 D.三复等位基因 E.二复等位基因

考题 导体表面是等位面。()A对B错

考题 PBX设备能够提供等位出局和非等位局。

考题 怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

考题 等位基因与复等位基因

考题 导体表面是等位面。()

考题 如向一个充满带电水雾的油舱中,吊入一个()能产生足以点燃混合气的放电。A、接地的导体B、不接地导体C、接地的非导体D、不接地的非导体

考题 Hardy -Weinberg定律说明的是()A、显性等位基因频率增加B、显性等位基因频率减少C、最适等位基因频率增加D、等位基因频率保持不变

考题 静电场中的导体和恒定电场中的非理想导体()A、均为等位体B、前者为等位体而后者不是等位体C、前者不是不是等位体而后者是等位体D、均不是等位体

考题 构成场效应管的材料不包含().A、金属B、氧化物C、超导体D、半导体

考题 简述霍尔元件存在不等位电势和不等位电阻的原因。

考题 空霍尔片不等位电势是产生的原因是()。A、由于高频交流的作用B、霍尔传感器没有放在中间位置C、霍尔电极不能焊接在同一等位面上D、导线焊接不牢固

考题 霍尔传感器在实际使用中,存在各种因素影响其精度。产生这些误差的主要因素有两类,分别是()A、半导体本身所固有的特性B、外界温度的影响C、零点电位不准造成的D、半导体制造工艺的缺陷E、传感器中各电路元件的热量F、不等位电势引起的

考题 判断如下几种说法,错误的有()。A、当电场是由多个点电荷激发产生时,则电场强度的大小是各点电荷单独产生的电场强度的代数和B、多个点电荷在均匀介质中某点产生的电位,是各点电荷单独在该点产生的电位的代数和C、处于静电场中的导体,其内部电场强度为零,其表面的电场强度垂直于导体表面D、电场中电位相等的点所构成的曲面称为等位面,等位面与电力线处处正交

考题 对半导体的叙述正确的是()。A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

考题 某一对等位基因(Aa)如果只位于X染色体上,Y上无相应的等位基因,则该性状的遗传不遵循()定律。

考题 电器触头是指两个导体或几个导体之间不接触的部分。

考题 单选题如向一个充满带电水雾的油舱中,吊入一个()能产生足以点燃混合气的放电。A 接地的导体B 不接地导体C 接地的非导体D 不接地的非导体

考题 名词解释题不等位导体

考题 问答题不等位导体的充电电场与等位体充电电场有何不同?

考题 填空题静电场中导体的特点是:在导体表面形成一定面积的电荷分布,是导体内的电场为0,每个导体都成等位体,其表面为()。

考题 单选题Hardy -Weinberg定律说明的是()A 显性等位基因频率增加B 显性等位基因频率减少C 最适等位基因频率增加D 等位基因频率保持不变