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对半导体的叙述正确的是()。
- A、半导体即超导体
- B、半导体即一半导电一半不导电
- C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
- D、半导体是经过处理的绝缘体
参考答案
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考题
保护导体、保护联结导体的正确定义是()。
A.保护导体是为安全目的(如电击防护)而设置的导体;
B.保护导体是为防护性或功能性接地而设置的导体;
C.保护联结导体是为保护性等电位联结而设置的导体;
D.保护联结导体是保护导体和等电位联结导体的统称。
考题
下面关于电流形成磁场的叙述中,正确的是()A、电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆B、电流通过线圈产生的磁场大小,各个位置是相同的C、通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比D、磁场只存在于电流流过的导体内部E、A和C是对的
考题
对半导体剂量计的描述,不正确的是()A、N型硅晶体适合辐射剂量测量B、适于测量半影区剂量分布C、直接测量电子束深度剂量曲线D、比标准电离室更灵敏,体积更小E、剂量响应随温度改变会发生变化
考题
下面关于涡流的叙述中,指出正确的句子().A、当导体中的磁力线变化时,在磁力线周围产生感生电流B、当导体中的磁力线被缺陷隔断时,在那里产生涡流C、导体中的涡流在导体中心部分较大,随着靠近表面,涡流大小明显下降D、导体中的涡流靠近导体表面较大,中心部分的电流密度比表面层要低得多E、a和d是正确的
考题
下列关于电流形成磁场的叙述,正确的说法是()。A、 电流形成的磁场与电流方向平行B、 电流从一根导体中流过时,用右手定则确定磁场方向C、 通电导体周围的磁场强度与电流大小无关D、 通电导体周围的磁场强度与距导体的距离无关
考题
下列关于地线的叙述正确的是()。A、挂接地线时,先接接地端,后接导体端B、挂接地线时,先接导体端,后接接地端C、拆除接地线要先拆导体端,后拆接地端D、拆除接地线要先拆接地端,后拆导体端
考题
对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子
考题
保护导体、保护联结导体的正确定义是()。A、保护导体是为安全目的(如电击防护)而设置的导体B、保护导体是为防护性或功能性接地而设置的导体C、保护联结导体是为保护性等电位联结而设置的导体D、保护联结导体是保护导体和等电位联结导体的统称
考题
单选题下面关于电流形成磁场的叙述中,正确的是()A
电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆B
电流通过线圈产生的磁场大小,各个位置是相同的C
通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比D
磁场只存在于电流流过的导体内部E
A和C是对的
考题
单选题下面关于涡流的叙述中,指出正确的句子().A
当导体中的磁力线变化时,在磁力线周围产生感生电流B
当导体中的磁力线被缺陷隔断时,在那里产生涡流C
导体中的涡流在导体中心部分较大,随着靠近表面,涡流大小明显下降D
导体中的涡流靠近导体表面较大,中心部分的电流密度比表面层要低得多E
a和d是正确的
考题
问答题半导体中的杂质对半导体的能带结构和电学性质有何影响?
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