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HiCN的吸收波峰位于
A.540nm
B.572nm
C.634nm
D.578nm
E.504nm
B.572nm
C.634nm
D.578nm
E.504nm
参考答案
参考解析
解析：
更多 “HiCN的吸收波峰位于A.540nm B.572nm C.634nm D.578nm E.504nm” 相关考题
考题
ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括A、吸收曲线的波峰为（540±1）nm，波谷为504～502nmB、A／A=1.590～1.630C、CV≤0.5％D、5年内不变质E、普通培养和厌氧培养阴性
考题
关于HiCN参考品的规格,下列哪项是错误的A、 波峰540土lnm,波谷502~504nmB、 A7500.002C、 测定精度士1%D、 A504/A540应在1.59~1.63之间
考题
关于HicN参考品的规格，下列叙述错误的是A.A504／A540应在1．59～1．63之间
B.A750≤0．002
C.CV≤0．5％
D.波峰(540±1)nm，波谷502～504nm
E.准确度≤±0．5％
考题
关于HicN参考品的规格，下列叙述错误的是A、波峰（540±1）nm，波谷502～504nmB、A750≤0．002C、CV≤0．5％D、准确度≤±0．5％E、A504／A540应在1．59～1．63之间
考题
下列HiCN参考制品的规格中哪个是错误的（）。A、HiCN波峰在540±1nmB、HiCN波谷为502～504nmC、A540/A504应在1.59～1.63D、HiCN的摩尔消光系统为44
考题
ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括（）A、吸收曲线的波峰为540±1nm，波谷为504～502nmB、A入504nm／A入504nm=1.590～1.630C、CV≤0.5%D、5年内不变质E、普通培养和厌氧培养阴性
考题
单选题ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括（）A
吸收曲线的波峰为（540±1）nm，波谷为504～502nmB
A／A=1.590～1.630C
CV≤0.5％D
5年内不变质E
普通培养和厌氧培养阴性
考题
单选题下列HiCN参考制品的规格中哪个是错误的（）。A
HiCN波峰在540±1nmB
HiCN波谷为502～504nmC
A540/A504应在1.59～1.63D
HiCN的摩尔消光系统为44
考题
单选题ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括（）A
吸收曲线的波峰为540±1nm，波谷为504～502nmB
A入504nm／A入504nm=1.590～1.630C
CV≤0.5%D
5年内不变质E
普通培养和厌氧培养阴性
考题
单选题SDS检测Hb的吸收曲线波峰应位于（）A
500nmB
504nmC
538nmD
540nmE
548nm
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