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电介质的tgδ值（ ）。
A.随温度升高而下降
B.随频率增高而增加
C.随电压升高而下降
D.随湿度增加而增加
B.随频率增高而增加
C.随电压升高而下降
D.随湿度增加而增加
参考答案
参考解析
解析：
更多 “电介质的tgδ值（ ）。A.随温度升高而下降 B.随频率增高而增加 C.随电压升高而下降 D.随湿度增加而增加” 相关考题
考题
有甲、乙、丙、丁四个场地，地震烈度和设计地震分组都相同。土层等效剪切波速和场地覆盖层厚度见下表。比较各场地的特证周期Tg值，下列哪个选项的说法是正确的？
(A)四个场地的Tg值都各不相同 （B)四个场地的Tg值都相同
(C)有三个场地的Tg值都相同 （D)有两个场地的Tg值相同
考题
有甲、乙、丙、丁四个场地，地震烈度和设计地震分组都相同。它们的等效剪切波速vse和场地覆盖层厚度列如表9-1所示。比较各场地的特征周期Tg，下列哪个选项是正确的？（ ）
A.各场地的Tg值都不相等 B.有两个场地的Tg值相等
C.有三个场地的Tg值相等 D.四个场地的Tg值都相等
考题
有甲、乙、丙、丁四个场地，地震烈度和设计地震分组都相同。它们的等效剪切波速vse和场地覆盖层厚度列如下表。比较各场地的特征周期Tg，下列哪个选项是正确的？
(A)各场地的Tg值都不相等 (B)有两个场地的Tg值相等
(C)有三个场地的Tg值相等 (D)四个场地的Tg值都相等
考题
有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn，若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的（）。A、最大值；B、最小值；C、平均值；D、某介于最大值与最小值之间的值。
考题
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近。A、0.3%；B、0.5%；C、4.5%；D、2.7%。
考题
用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。A、tgδ=（tgδ1+tgδ2）/2B、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1-C2）C、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1+C2）D、tgδ=（C2tgδ1+C1tgδ2）/（C1+C2）
考题
关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降
考题
单选题若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近A
0.003B
0.005C
0.045D
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