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关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。

  • A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加
  • B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大
  • C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高
  • D、绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降

参考答案

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考题 测量电气设备绝缘的tgδ时应加() A、直流电压B、交流电压C、雷电冲击电压D、任意电压

考题 现场用tgδ值进行电气设备绝缘分析时,要求tgδ值不应有明显的增加。( )

考题 电介质的tgδ值( )。A.随温度升高而下降 B.随频率增高而增加 C.随电压升高而下降 D.随湿度增加而增加

考题 电介质的tgδ值()。A随温度升高而下降B随频率增高而增加C随电压升高而下降D随湿度增加而增加

考题 现场用QSI型西林电桥测量设备绝缘的tgδ,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tgδ值大。

考题 在对运行中设备进行介质损失角tgδ测量结果进行分析时,tgδ的绝对值虽符合20℃时标准值,但并不能完全说明该设备的绝缘状况良好。()

考题 南网预防性试验规程规定,油纸绝缘的耦合电容器在10kV电压下的tgδ值0.5%。

考题 绝缘良好的电气设备,其tgδ值随电压的升高而()。A、没有明显的增加B、有明显的增加C、有明显降低D、没有明显降低。

考题 若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1=5%,C1=250pF;而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2=0.4%,C2=10000pF,则设备整体绝缘试验时,其总的tgδ值与()接近A、0.003B、0.005C、0.045D、0.027

考题 现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。

考题 在绝缘预防性试验中,tgδ是基本测试项目,当绝缘受潮或劣化时,tgδ急剧上升。绝缘内部是否普遍局部放电,也可以通过测介损与电压的关系曲线加以判断。

考题 绝缘良好的电气设备,其tgδ值随电压的升高而()。

考题 测量高压设备绝缘介质损失角正切值tg,一般使用的试验设备是()。A、QS1型西林电桥B、欧母表C、电压表D、兆欧表

考题 测量局部放电时,要求耦合电容()。A、tgδ小;B、绝缘电阻高;C、泄漏电流小;D、在试验电压下无局部放电。

考题 按南网“预试”要求断路器的油纸绝缘并联电容器在10kV试验电压下的tgδ值()A、0.2%B、0.5%C、0.4%D、0.8%

考题 一般电气设备随着绝缘受潮其绝缘电阻下降,泄漏电流增加,介损tgδ值()。A、增加B、不变C、减少D、以上均不是

考题 南网预防性试验规程规定,膜纸绝缘的耦合电容器在10kV电压下的tgδ值0.4%。

考题 在高于起始放电电压时,绝缘的介质损耗会随电压的增加而()。因此,用测量介质损耗的方法,可以探测设备的局部放电,即所谓测量绝缘的()。但这种方法的灵敏度较低。

考题 现场环境温度为20℃测得220kV膜纸绝缘电容式电压互感器介质损tgδ值为0.4%。合格

考题 绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷,则其tgδ将随电压的升高而明显增加。

考题 若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1=5%,C1=250pF;而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2=0.4%,C2=10000pF,则设备整体绝缘试验时,其总的tgδ值与()接近。A、0.3%;B、0.5%;C、4.5%;D、2.7%。

考题 用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压

考题 如果绝缘材料中含有气泡时,在电压升高过程中,介质损耗角tgδ会随电压升高而()。A、增大B、减小C、不变D、无关

考题 电容型绝缘结构的设备,当末屏处产生悬浮电位时,介质参数的明显表征是()。A、tgδ升高B、绝缘电阻下降C、局部放电量骤增

考题 判断题在绝缘预防性试验中,tgδ是基本测试项目,当绝缘受潮或劣化时,tgδ急剧上升。绝缘内部是否普遍局部放电,也可以通过测介损与电压的关系曲线加以判断。A 对B 错

考题 判断题现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。A 对B 错

考题 单选题电介质的tgδ值()。A 随温度升高而下降B 随频率增高而增加C 随电压升高而下降D 随湿度增加而增加