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半导体材料做成的激光器，当激光器的PN结上外加的正向偏压足够大时，将使得PN结的结区出现了高能级粒子多、低能级粒子少的分布状态，这是粒子数反转分布状态。()

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考题 当PN结加正向电压时，PN结处于截止状态。此题为判断题(对，错)。
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考题 激光器的构成一般由()组成。 A、激励能源、谐振腔和工作物质B、固体激光器、液体激光器和气体激光器C、半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D、电子、载流子和光子
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考题 PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向
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考题 在激光器中，能实现粒子数反转分布的物质称为×××。
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考题 当在PN结上加正向电压时，PN结处于（ ）状态。A.击穿 B.饱和 C.截止 D.导通
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考题 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结B、晶体管；截止，导通；PN结C、晶体管；导通，截止；晶体管D、PN结；截止，导通；晶体管E、晶体管；截止，导通；晶体管
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考题 半导体激光器的基本结构主要有（）。A、激励源B、光学谐振腔C、工作物质D、PN结
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考题 当PN结加正向电压时，PN结处于截止状态。
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考题 泵浦可激活介质内部的一种（），使其在某些能级间实现粒子数反转分布，这是形成激光的前提条件。A、分子B、粒子C、原子D、电子
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考题 PN结施加正向偏压时，载流子的符合是电子从高能级跌落到低能级，以什么形式释放能量的过程？（）A、电辐射B、光辐射C、热辐射D、场辐射
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考题 半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。
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考题 粒子数反转分布是指高能级电子数（）低能级电子数目。A、多于B、少于C、等于D、不多于
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考题 （）是EDFA的辅助激光源。它的作用是把掺铒光纤中的铒离子从E1能级“泵”到E3能级，使其形成粒子数反转分布状态。
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考题 高能级的粒子数多，低能级的粒子数少称为粒子数反转分布。
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考题 PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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考题 当PN结外加正向电压时，阻挡层的宽度将（）A、增大B、减小C、不变D、近似不变
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考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
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考题 当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
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考题 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
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考题 当PN结外加正向电压时，耗尽层的宽度将（）
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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考题 PN结正向偏置时，处于（）状态，呈低电阻，正向电流大。
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考题 填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
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考题 单选题激光器的构成一般由（）组成A 激励能源、谐振腔和工作物质B 固体激光器、液体激光器和气体激光器C 半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D 电子、载流子和光子
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考题 填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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考题 判断题高能级的粒子数多，低能级的粒子数少称为粒子数反转分布。A 对B 错
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考题 填空题半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。
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