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使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。


参考答案

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考题 晶体二极管实际上是把一个PN结两端加上引线的半导体器件,其中()。 A、P区为正,N区为负B、N区为正,P区为负C、P区、N区皆为负D、P区、N区皆为正

考题 工作在放大状态的晶体管,各极的电位应使晶体管满足什么?( )A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结反偏,集电结正偏 C.发射结、集电结均反偏 D.发射结、集电结均正偏

考题 当电源正极接N区,负极接P区时,称为给PN结加反向电压或反向偏置。()

考题 PN结P区的电位高于N区的电位称为(),简称正偏,此时电流从P区流到N区,PN结呈低阻性,所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流

考题 PN结P极接外电源正,N极接外电源负叫做反向偏压。

考题 由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有()导电性,其中N极接正,而P极接负的电压称为()电压,此时PN结截止。

考题 PN结正偏时,PN结的电阻径大。

考题 如果在PN结的两端加一个电压,其方向是()这个外加电压称为反向电压。A、“P区接正N区接负”B、“P区接负N区接正”C、与电流同向D、与电流反向

考题 为了使晶体管工作于饱和区,必须保证()。A、发射结正偏,集电结正偏B、发射强正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结零偏D、发射结反偏,集电结正偏

考题 PN结的反向接法是()。A、P接正电压B、N接正电压C、PN接正电压D、PN接负电压

考题 PN结反向偏置时,应该是N区的电位比P区的电位()。

考题 如果要想PN结得到正向电压,那么电源应()。A、P端接正,N端接负B、N端接正,P端接负C、P,N端都接正D、P,N端都接负

考题 PN结呈现正向导通的条件是:()A、P区电位低于N区电位B、N区电位低于P区电位C、P区电位等于N区电位D、都不对

考题 为了使晶体管工作于饱合区,必须保证()。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏

考题 在PN结上加正向电压,就是指电源正极接N区,负极接P区。

考题 PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

考题 PN结外加正向电压,即电源的正极接P区,电源的负极接N区,这种接法称为()或()。

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。

考题 PN结正偏是指P区电位()N区电位。

考题 和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变();当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变()

考题 PN结的P区接电源负极,N区接电源正级,称为()偏置接法。A、正向B、反向C、零D、击穿

考题 填空题PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为()反之称为().

考题 单选题PN结呈现正向导通的条件是:()A P区电位低于N区电位B N区电位低于P区电位C P区电位等于N区电位D 都不对

考题 单选题如果要想PN结得到正向电压,那么电源应()。A P端接正,N端接负B N端接正,P端接负C P,N端都接正D P,N端都接负

考题 单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。A P区;B N区;C 结区;D 中间区。

考题 填空题由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有()导电性,其中N极接正,而P极接负的电压称为()电压,此时PN结截止。

考题 单选题下列PN结两端的电位值,使PN结导通的是()。A P端接+5V,N端通过一电阻接+7VB N端接+2V,P端通过一电阻接+7VC P端接-3V,N端通过一电阻接+7VD P端接+1V,N端通过一电阻接+6V