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张弛振荡是激光器内部光电相互作用所表现出来的固有特性,增加直流偏置可对其进行抑制,而且预偏置越接近阈值,效果越显著。()


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考题 为了使DDZ-Ⅱ型差压变送器的高频振荡器工作在间歇振荡状态,振荡管V1的直流工作点应靠近()区,趋于()偏置状态。

考题 光敏二极管在测光电路中应处于____偏置状态,而光电池通常处于____偏置状态。() A、正向B、反向C、零

考题 张弛振荡是激光器内部光电相互作用所表现出来的固有特性,增加直流偏置可对其进行抑制,而且预偏置越接近阈值,效果越显著。() A.正确B.错误

考题 关于预饱和技术的叙述,正确的是()A、预饱和技术可抑制各种运动伪影B、预饱和带越宽,抑制伪影效果越好C、增宽饱和带,可增加扫描时间D、饱和带越窄,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好E、饱和带越宽,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好

考题 为什么对激光器应施加足够的偏置电流?

考题 增大激光器的偏置电流会使激光器下列哪个特性劣化()。A、耦合特性B、消光比C、电光延迟效应D、谐振效应

考题 激光器的阈值条件与光学谐振腔的固有损耗有关,该损耗越小,阈值条件()A、越低B、越高C、不变D、为0

考题 光电二极管加()电压能产生电流,发光二极管()电压下工作。A、反向偏置,正向偏置B、正向偏置,反向偏置C、正向偏置,正向偏置D、反向偏置,反向偏置

考题 系统发生振荡时,越接近振荡中心电压越低。

考题 激光器振荡阈值

考题 单选题光电池的工作条件是()。A 加热B 加正向偏置C 加反向偏置D 加光照

考题 单选题在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻Rb的数值,容易出现()失真。A 饱和B 截止C 低频D 交越

考题 判断题集成运放的偏置电路为差动放大电路提供直流偏置,以起到稳定静态工作点和抑制温漂的作用。A 对B 错

考题 问答题为什么结型光电器件正向偏置时,没有明显的光电效应?必须在哪种偏置状态?为什么?

考题 问答题为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应?必须工作在哪种偏置状态?

考题 单选题硅光电池在()情况下有最大的电流输出。A 开路B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 单选题激光器的阈值条件与光学谐振腔的固有损耗有关,该损耗越小,阈值条件()A 越低B 越高C 不变D 为0

考题 单选题硅光电池在()情况下有最大的输出功率。A 开路B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 填空题光敏二极管在测光电路中应处于()偏置状态,而光电池通常处于()偏置状态。

考题 判断题张弛振荡是激光器内部光电相互作用所表现出来的固有特性,增加直流偏置可对其进行抑制,而且预偏置越接近阈值,效果越显著。()A 对B 错

考题 填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()

考题 单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 单选题硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是()A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射量有良好的线性关系,且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 问答题为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应?结型光电器件必须工作在哪种偏置状态?

考题 多选题关于预饱和技术的叙述,正确的是()A预饱和技术可抑制各种运动伪影B预饱和带越宽,抑制伪影效果越好C增宽饱和带,可增加扫描时间D饱和带越窄,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好E饱和带越宽,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好

考题 多选题关于预饱和技术的叙述,正确的是(  )。A增宽饱和带,可增加扫描时间B饱和带越窄,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好C预饱和带越多,抑制伪影效果越好D预饱和技术可抑制各种运动伪影E饱和带越宽,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好