考题
施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。
A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压
考题
混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε，Δε大，有利于降低液晶的阈值电压。（）
考题
比较器（）电平发生跳变时的（）电压称为阈值电压，过零电压比较器的阈值电压是（）。只有一个阈值电压的比较器称为（）比较器；而具有两个阈值电压的比较器称为（）比较器。
考题
取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A、转折电压B、反向击穿电压C、阈值电压D、额定电压
考题
施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。
考题
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
考题
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
考题
问答题试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。
考题
问答题什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？
考题
问答题根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？
考题
问答题简述结型光电器件为何要加反向偏置电压。
考题
问答题小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？
考题
问答题如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
考题
单选题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）A
增大B
减小C
不变D
先增大后减小
考题
判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。A
对B
错
考题
问答题MOS管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？
考题
问答题为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件？
考题
判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A
对B
错
考题
单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A
增大B
减小C
不变D
先减小后增大
考题
问答题如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
考题
单选题取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A
转折电压B
反向击穿电压C
阈值电压D
额定电压
考题
问答题MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？
考题
问答题试述 “鸟嘴”效应是如何产生的？它对MOS器件有什么影响？