考题
单晶硅的变形也压力成严格的()
A、反比B、正比C、相等D、等差
考题
电容式压力传感器输出信号的频率与进气歧管内的绝对压力成正比。()
此题为判断题(对，错)。
考题
进气压力传感器的压力元件是用半导体的（）效应制成的硅膜片。A、电阻B、电容C、电感D、都不是
考题
单晶硅的变形与压力成严格的（）关系。A、反比B、正比C、相等D、等差
考题
压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器的输出电压一般随转速升高而升高。（）
考题
下述中，属于压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器侧的线接柱的是（）。A、VccB、PIMC、E2D、E1
考题
半导体压敏电阻式增压压力传感器由（）、底座、真空管接头和引线组成。A、夹板B、硅膜片C、真空室D、硅杯
考题
半导体压敏电阻式增压压力传感器的硅膜片的两面一面通真空室，一面通（）。A、进气歧管B、排气歧管C、进气总管D、排气总管
考题
半导体压敏电阻式增压压力传感器当发动机运转时，进气流作用在硅膜片上，使硅膜片产生应力，应变电阻的阻值会发生变化，电桥输出（）也随之变化。A、电流B、电压C、电阻D、电容
考题
电容式进气歧管绝对压力传感器其实就是数字输出式进气歧管绝对压力传感器。（）
考题
半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器尺寸小、精度高、和响应性、再现性、抗振性较好，但制作成本高。（）
考题
电容式进气歧管绝对压力传感器输出信号的频率与进气歧管绝对压力成（）。A、反比B、正比C、函数
考题
半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片表面规定位置有（）个应变电阻，以（）电桥方式连接。A、1；惠斯顿B、4；惠斯顿C、1；惠特尼
考题
袖山高与袖肥的关系是（），袖山越高，袖肥越（），袖山越低，袖肥越（）A、正比、大、小B、正比、小、大C、反比、小、大D、反比、大、小
考题
半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器输出的信号电压具有随（）的增大呈线性增大的特性。A、进气歧管绝对压力B、大气压力C、发动机负荷
考题
流速与阻力的关系是（）即流速越高，阻力越（）。A、正比、大B、反比、小
考题
电容式进气压力传感器输出信号的（）与进气歧管内的绝对压力成正比。A、电压B、电流C、频率D、功率
考题
进气歧管绝对压力传感器的主要形式有（）。A、半导体压电式B、半导体压敏电阻式C、电容式D、表面弹性波式E、可变电感式
考题
电容式进气管绝对压力传感器中电容量与弹簧膜片的位移成（），当电容量大时弹簧膜片的位移（）。A、正比、大；B、反比、大；C、正比、小；D、反比、小。
考题
半导体压力传感器的硅膜片，一面接触的是真空室压力，一面接触的是（）压力。A、排气管B、进气歧管C、空气D、燃油
考题
判断题半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器尺寸小、精度高、和响应性、再现性、抗振性较好，但制作成本高。（）A
对B
错
考题
单选题电容式进气歧管绝对压力传感器输出信号的频率与进气歧管绝对压力成（）。A
反比B
正比C
函数
考题
单选题半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器输出的信号电压具有随（）的增大呈线性增大的特性。A
进气歧管绝对压力B
大气压力C
发动机负荷
考题
单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的（）制成的硅膜片。A
压阻效应B
光电效应C
压电效应D
磁阻效应
考题
判断题电容式进气歧管绝对压力传感器其实就是数字输出式进气歧管绝对压力传感器。（）A
对B
错
考题
判断题压阻效应式进气歧管绝对压力传感器是利用压敏电阻构成的测量电桥，由进气歧管压力的变化的原理制成的。A
对B
错
考题
单选题视野大小与船舶速度的大小成（），船舶速度越（），视野越（）。A
反比；快；小B
反比；快；大C
正比；慢；小D
正比；慢；大