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进气压力传感器的压力元件是用半导体的()效应制成的硅膜片。

  • A、电阻
  • B、电容
  • C、电感
  • D、都不是

参考答案

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考题 下列关于硅压力传感器说法不正确的是______。A.被测介质的压力不直接作用于传感器的膜片上B.被测介质的压力作用使得膜片产生微小位移C.硅压力传感器实际影响的都是传感器阻值的变化D.压力传感器输出的都是标准的电压或电流信号

考题 弹性压力传感器的元件有弹簧管、膜片、()和()等四种。

考题 硅正流元件是用半导体为主要材料做成的固体正流元件。

考题 半导体压敏电阻式增压压力传感器在()作用下,膜片会产生应力,应变电阻的阻值会发生变化。A、进气压力B、排气压力C、压气机D、涡轮

考题 半导体压敏电阻式增压压力传感器由()、底座、真空管接头和引线组成。A、夹板B、硅膜片C、真空室D、硅杯

考题 共轨压力传感器在高压燃油经压力室的小孔流向膜片,膜片上安装有半导体敏感元件,可将压力转换成()信号。A、数字B、电C、组合D、无线

考题 半导体压敏电阻式增压压力传感器的硅膜片的两面一面通真空室,一面通()。A、进气歧管B、排气歧管C、进气总管D、排气总管

考题 半导体压敏电阻式增压压力传感器当发动机运转时,进气流作用在硅膜片上,使硅膜片产生应力,应变电阻的阻值会发生变化,电桥输出()也随之变化。A、电流B、电压C、电阻D、电容

考题 目前在车用进气歧管绝对压力传感器中采用最普遍的是()的。

考题 霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟

考题 半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片表面规定位置有()个应变电阻,以()电桥方式连接。A、1;惠斯顿B、4;惠斯顿C、1;惠特尼

考题 下列哪项不属于压阻式压力表压力传感器的构件()。A、硅膜片B、引线C、绝缘体D、硅杯

考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成,采用()为弹性元件A、应变片B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片

考题 压阻式压力传感器是根据半导体材料(单晶硅)的()原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化

考题 压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成,采用()为弹性元件。A、应变器B、压电片C、弹性元件D、单晶硅片

考题 半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器输出的信号电压具有随()的增大呈线性增大的特性。A、进气歧管绝对压力B、大气压力C、发动机负荷

考题 半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片受到的进气歧管侧的绝对压力越高,硅膜片的变形越(),其变形与压力大小成()。A、大…正比;B、大…反比;C、小…正比;D、小…反比

考题 硅压阻式压力传感器是利用()的()制成的器件。

考题 半导体压力传感器的硅膜片,一面接触的是真空室压力,一面接触的是()压力。A、排气管B、进气歧管C、空气D、燃油

考题 单选题半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器输出的信号电压具有随()的增大呈线性增大的特性。A 进气歧管绝对压力B 大气压力C 发动机负荷

考题 单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的()制成的硅膜片。A 压阻效应B 光电效应C 压电效应D 磁阻效应

考题 判断题压阻效应式进气歧管绝对压力传感器是利用压敏电阻构成的测量电桥,由进气歧管压力的变化的原理制成的。A 对B 错

考题 填空题半导体压敏电阻式进气压力传感器一面导入进气岐管压力,另一面是()。

考题 填空题半导体压敏电阻式压力传感器是利用半导体的()效应制成的。

考题 填空题硅压阻式压力传感器是利用()的()制成的器件。

考题 单选题压阻式压力传感器中的硅膜片通常是()。A 单晶硅B 多晶硅C 非晶硅D 硅蓝宝石

考题 单选题进气压力传感器的压力元件是用半导体的()效应制成的硅膜片。A 电阻B 电容C 电感D 都不是