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兴奋性突触后电位（EPSP）

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考题 EPSP是指突触后膜发生()化。IPSP是指突触后膜发生()化。
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考题 信息经突触传递后,在突触后膜是引起EPSP田,还是IPSP,取决于() A、信息的强弱B、递质和受体C、递质D、受体
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考题 是超极化局部电位A．EPPB．IPSPC．BERD．EPSP
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考题 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
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考题 兴奋性突触后电位（EPSP）是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的（ ）A．K+、Na+，尤其是K+B．K+、Na+，尤其是Na+C．K+、Na+、Cl-，尤其是Cl-D．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Cl-E．K+、Cl-，尤其是Cl-
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考题 兴奋性突触后电位是（ ）。
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考题 属于局部电位的是 A.发生器电位 B.感受器电位 C. IPSP D. EPSP
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考题 兴奋性突触后电位的形成是因为（ ）。
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考题 神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是（ ）。
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考题 兴奋性突触后电位是由于突触后膜出现了超级化。()
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考题 A. B. C. D.形成慢EPSP的离子基础主要是( )
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考题 试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理？
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考题 兴奋性突触后电位具有局部电位性质，可以总和。
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考题 EPSP是（）A、动作电位；B、阈单位；C、静息电位；D、局部去极化电位
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考题 突触后神经元兴奋时，动作电位首先在轴突始段爆发的原因是（）A、此处的EPSP幅度大B、EPSP总和仅发生于此处C、此处的细胞膜电阻小D、此处阈电位靠近静息电位E、此处电压门控钠通道密度大
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考题 EPSP
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考题 突触后神经元活动取决于（）A、EPSP的总和B、IPSP的总和C、EPSP和IPSP的代数和D、以上都不是
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考题 兴奋性突触后电位属局部电位。
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考题 兴奋性突触后电位
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考题 产生兴奋性突触后电位（EPSP）的主要机制是（）A、突触前末梢递质释放增多B、需由中间神经元中介C、突触后膜K+电导降低D、突触后膜Na+电导增加E、突触后神经元受刺激而兴奋
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考题 EPSP称为（），是一种（）电位。
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考题 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么？
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考题 单选题EPSP是（）A 动作电位；B 阈单位；C 静息电位；D 局部去极化电位
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考题 名词解释题兴奋性突触后电位（EPSP）
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考题 单选题产生兴奋性突触后电位（EPSP）的主要机制是（）A 突触前末梢递质释放增多B 需由中间神经元中介C 突触后膜K+电导降低D 突触后膜Na+电导增加E 突触后神经元受刺激而兴奋
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考题 单选题兴奋性突触后电位属于（　　）。A B C D E
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考题 判断题单个动作电位所引起的EPSP足以引起突触后静息神经元产生动作电位。A 对B 错
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