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兴奋性突触后电位的形成是因为( )。


参考答案

参考解析
解析:
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考题 脑电波的形成机制是大量皮层神经无同时发生() A、工作电位B、诱发电位C、兴奋性突触后电位D、抑制性突触后电位E、突触后电位同步总和

考题 兴奋性突触后电位的形成,突触后膜表现为 A、反极化B、复极化C、局部去极化D、超极化E、形成动作电位

考题 脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生( )。A.工作电位B.诱发电位C.兴奋性突触后电位D.抑制性突触后电位E.突触后电位同步总和

考题 兴奋性突触后电位的形成,突触后膜表现为A.反极化 B.复极化 C.局部去极化 D.超极化 E.形成动作电位

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考题 脑电波的形成来自于大脑皮层细胞的()。A、皮质诱发电位B、动作电位C、抑制性突触后电位D、兴奋性突触后电位E、突触后电位的总和

考题 兴奋性突触后电位的形成是因为()。A、突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B、突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C、突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D、突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E、突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

考题 脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生?()A、工作电位B、诱发电位C、兴奋性突触后电位D、抑制性突触后电位E、突触后电位同步总和

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考题 兴奋性突触后电位(EPSP)

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考题 兴奋性突触后电位

考题 单选题兴奋性突触后电位的形成是因为()。A 突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B 突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C 突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D 突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E 突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

考题 单选题脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生?()A 工作电位B 诱发电位C 兴奋性突触后电位D 抑制性突触后电位E 突触后电位同步总和

考题 单选题兴奋性突触后电位是(  )。A B C D E

考题 名词解释题兴奋性突触后电位

考题 单选题脑电波的形成来自于大脑皮层细胞的(  )。A 皮质诱发电位B 动作电位C 抑制性突触后电位D 兴奋性突触后电位E 突触后电位的总和

考题 问答题兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么?

考题 单选题兴奋性突触后电位的形成是因为(  )。A 突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B 突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C 突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D 突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E 突触后膜对K+通透性升高,局部去极化