考题
信号SPD的响应时间应在( )级A.纳秒B.微秒C.几十微秒D.毫秒
考题
通常描述雷电波的持续时间为()数量级。
A.微秒B.毫秒C.纳秒D.皮秒
考题
镧系元素螯合物的荧光寿命通常为A、10～100纳秒B、100～1000纳秒C、1～10微秒D、10～1000微秒E、1～100毫秒
考题
大多数常用的UVEPROM的最大读取时间和静态、动态RAM芯片的最大存取时间的数量级为( )。A．几个纳秒(ns)B．几十个微秒(μs)C．几百个纳秒(ns)D．几个微秒(μs)
考题
内存存取时间的单位是()。
A.毫秒B.秒C.纳秒D.分
考题
地闪梯级先导的平均时间为（）A、20毫秒B、20微秒C、40毫秒D、40微秒
考题
可控硅调光器的抗干扰扼流圈的电流上升时间是以（）单位的。A、秒B、毫秒C、微秒D、纳秒
考题
一个有快表的请页式虚存系统，设内存访问周期为1微秒，内外存传送一个页面的平均时间为5毫秒。如果快表命中率为75%，缺页中断率为10%。忽略快表访问时间，试求内存的有效存取时间。
考题
硅开关二极管开关时间极短，仅需几个（）。A、秒B、毫秒C、纳秒D、微秒
考题
TTL与门电路平均延迟时间的单位为（）。A、秒B、纳秒C、微秒D、毫秒
考题
地闪箭式先导平均时间为（）A、20毫秒；B、20微秒；C、2毫秒；D、40微秒。
考题
浪涌保护器对雷电流的响应时间应为（）级。A、微秒B、毫秒C、纳秒D、秒
考题
雷电波持续应时间为（）级。A、毫秒B、纳秒C、微秒D、秒
考题
声波测井是记录单位距离声波传播的时间，其单位是（）A、秒/米B、毫秒/米C、微秒/米D、米/微秒
考题
瞬态过电压是指在（）级时间内产生的高频尖峰冲击电压。A、毫秒B、微秒C、秒D、纳秒
考题
外存储器具有容量大、数据永久保存、速度慢等特点，衡量外存的存取时间一般使用（）A、ms（毫秒）B、s（秒）C、ns（纳秒）D、ks（千秒）
考题
在计算机存储体系中，硬盘的存取周期在（）A、纳秒级B、微秒级C、毫秒级D、秒级
考题
通常描述雷电波的持续时间为（）数量级。A、微秒B、毫秒C、纳秒D、皮秒
考题
内存存取时间的单位是（）。A、毫秒B、秒C、纳秒D、分
考题
内存存取一次数据所需的时间称为存取时间，其单位是（）
考题
信号SPD的响应时间应在（）级。A、纳秒B、微秒C、几十微秒D、毫秒
考题
单选题在计算机存储体系中，硬盘的存取周期在（）A
纳秒级B
微秒级C
毫秒级D
秒级
考题
单选题通常描述雷电波的持续时间为（）数量级。A
微秒B
毫秒C
纳秒D
皮秒
考题
单选题内存存取时间的单位是（）。A
毫秒B
秒C
纳秒D
分
考题
单选题外存储器具有容量大、数据永久保存、速度慢等特点，衡量外存的存取时间一般使用（）A
ms（毫秒）B
s（秒）C
ns（纳秒）D
ks（千秒）
考题
填空题内存存取一次数据所需的时间称为存取时间，其单位是（）
考题
问答题一个有快表的请页式虚存系统，设内存访问周期为1微秒，内外存传送一个页面的平均时间为5毫秒。如果快表命中率为75%，缺页中断率为10%。忽略快表访问时间，试求内存的有效存取时间。