考题
为了使三极管工作于饱和区,必须保证()。
A.发射结正偏B.偏低C.适当
考题
晶体三极管极性的结构有PNP型和( )型。A.NPNB.NNPC.PPND.NPP
考题
晶体三极管极性的结构有PNP型和()。
A、NPN型B、NNP型C、PPN型D、NPP型
考题
为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体三极管有NPN和PNP之分，它们有二个PN结。按输入特性分为三个区：即放大区、截止区和饱和区。A对B错
考题
晶体三极管根据内部结构不同分为（）。A、PNP型和NPN型B、PNN型和NPP型C、NPP型和PNP型D、NPN型和NPP型
考题
为了使三极管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏B、偏低C、适当
考题
晶体三极管作开关用时，工作状态处于（）A、截止区B、放大区C、饱和区D、截止区和饱和区
考题
晶体三极管作开关使用时，应工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、饱和区和截止区
考题
晶体三极管作开关使用时是工作在其（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、饱和与截止区
考题
晶体三极管作开关用时，工作于（）。A、放大区B、饱和区C、饱和区或截止区D、截止区
考题
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）A、发射结正偏，集电结正编B、发射强正编，集电结反编C、发射结正编，集电结零编
考题
晶体三极管有NPN和PNP之分，它们有二个PN结。按输入特性分为三个区：即放大区、截止区和饱和区。
考题
数字电路中，晶体三极管主要工作在截止区和饱和区。38
考题
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。A、PNP型的基极B、NPN的基极C、PNP型的发射极D、NPN的发射极
考题
为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
考题
晶体三极管有3个工作区：饱和区、截止区、放大区。
考题
PNP型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系必须满足（）A、UCUBUEB、UCUBUEC、UCUEUB
考题
为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（）的方法。A、减小IbB、减小RcC、提高Ec
考题
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。A、PNP型的基极B、PNP型的集电极C、NPN型的发射极D、PNP型的发射极
考题
单选题为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（）的方法。A
减小IbB
减小RcC
提高Ec
考题
填空题晶体三极管极性的结构有PNP型和（）型。
考题
判断题晶体三极管有NPN和PNP之分，它们有二个PN结。按输入特性分为三个区：即放大区、截止区和饱和区。A
对B
错
考题
单选题为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A
发射极正偏，集电极正偏B
发射极正偏，集电极反偏C
发射极正偏，集电极零偏D
发射极反偏，集电极正偏
考题
判断题为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。A
对B
错