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PIN管通以100mA正向偏置电流时，它对微波传输没有妨碍。

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考题 PN结反向偏置时,处于导通状态,呈低电阻,正向电流大。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 三极管处于截止状态时( )。 A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结反向偏置C.发射结正向偏置，集电结正向偏置D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
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考题 晶体管处于饱和状态时的条件是发射结( )偏置,集电结( )偏置.A、正向，反向B、正向，正向C、反向，反向D、反向，正向
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考题 晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。
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考题 在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200V B.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200V C.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200V D.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
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考题 晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
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考题 三极管作电流放大时，在发射结上加正向偏置电压，在集电结上加反向偏置电压。
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考题 开关二极管加正向偏置电压时导通，正向电阻很小，加反向偏置电压时截止，反向电阻很大。（）
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考题 开关二极管加正向偏置电压导通，加反向偏置电压截止。
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考题 晶体三极管的发射结处于正向偏置时，三极管就导通。
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考题 三极管饱和导通状态是指三极管（）。A、发射结、集电结均处于正向偏置B、发射结、集电结均处于反向偏置C、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置D、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置
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考题 开关二极管和普通二极管的导电特性相同，即加正向偏置电压导通，正向电阻很小；加反向偏置电压截止，（）电阻很大。A、正向B、同步C、反向D、同向
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考题 要使三极管能够正常进行电流放大，在（）要加正向偏置电压，（）要加反向偏置电压
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考题 关于PIN和APD的偏置电压表述，正确的是（）。A、均为正向偏置B、均为反向偏置C、前者正偏，后者反偏D、前者反偏，后者正偏
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考题 半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态
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考题 当NPN半导体三极管的（）正向偏置，（）反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即（）极电流能控制（）极电流。
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考题 三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流ICEO将（）。
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考题 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。
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考题 晶体三极管发射结处于正向偏置时，三极管就导通。
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考题 三极管处于放大状态时（）。A、发射结反向偏置，集电结正向偏置B、发射结正向偏置，集电结反向偏置C、发射结与集电结均正向偏置D、发射结与集电结均反向偏置
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考题 当晶体三极管作为开关元件，在导通的状态下，其内部有（）关系成立。A、发射结处于反向偏置B、基电结处于正向偏置C、发射结处于正向偏置D、集电结处于正向偏置E、集电结处于反向偏置
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考题 要使晶体三极管对电流起放大作用，则必须使（）。A、发射结正向偏置，而集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结也正向偏置C、发射结反向偏置，而集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结也反向偏置
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考题 光电二极管加（）电压能产生电流，发光二极管（）电压下工作。A、反向偏置，正向偏置B、正向偏置，反向偏置C、正向偏置，正向偏置D、反向偏置，反向偏置
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考题 PN结正向偏置时，处于（）状态，呈低电阻，正向电流大。
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考题 判断题晶体三极管发射结处于正向偏置时，三极管就导通。A 对B 错
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考题 判断题PIN管通以100mA正向偏置电流时，它对微波传输没有妨碍。A 对B 错
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考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结反向偏置，集电结正向偏置C 发射结正向偏置，集电结正向偏置D 发射结反向偏置，集电结反向偏置
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