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P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结,PN结中存在着()种载流子的运动。

  • A、4
  • B、3
  • C、2
  • D、1

参考答案

更多 “P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结,PN结中存在着()种载流子的运动。A、4B、3C、2D、1” 相关考题
考题 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称______,若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体/NPN型半导体B.N型半导体/P型半导体C.PN结/PN结D.P型半导体/N型半导体

考题 发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片,在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫 发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。对文段理解不正确的是( )。A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成C.PN结位于P型半导体和n型半导体的过渡层上D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

考题 下列各项中,( )是本征半导体。 A、N型半导体;B、P型半导体;C、PN结D、纯净的半导体。

考题 利用半导体技术的()工艺,将P型半导体和N型半导体结合在一起,则其交界面便会形成一个PN结。 A、发散B、节流C、扩散D、蒸发

考题 将一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起便形成了PN结。() 此题为判断题(对,错)。

考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。() 此题为判断题(对,错)。

考题 P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结,PN结中存在着()种载流子的运动。A4B3C2D1

考题 在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷,可形成()A、N型半导体B、P型半导体C、PN结D、导体

考题 只要把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起,就构成一个PN结。

考题 用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起,在它们交界面上形成的特殊()称做PN结。

考题 ()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体

考题 在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷,可形成()。A、N型半导体B、PN结C、P型半导体D、导体

考题 P型半导体,N型半导体,PN结都具有单向导电性。

考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。

考题 1N4007中的“1”表示含义为()的数量。A、PN结B、P型半导体C、N型半导体D、管子封装材料

考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 在杂质半导体中,()是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体

考题 什么是P型半导体、N型半导体、PN结?

考题 在本征半导体中掺入少量的3价元素就成为()。A、P型半导体B、N型半导体C、PN结D、纯净半导体

考题 当()后,就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体

考题 将一块N型半导体和一块P型半导体相互接触,在其接触面上会形成一个PN结。

考题 二极管是由()、电极引线以及外壳封装构成的。A、一个PN结B、P型半导体C、N型半导体D、本征半导体

考题 N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为()。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结

考题 单选题若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称(),若以自由电子导电为主的称()。A PNP型半导体/NPN型半导体B N型半导体/P型半导体C PN结/PN结D P型半导体/N型半导体

考题 单选题利用半导体技术的()工艺,将P型半导体和N型半导体结合在一起,则其交界面便会形成一个PN结。A 发散B 节流C 扩散D 蒸发

考题 填空题PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。