考题
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
考题
放大电路中场效应管通常工作在()
A.可变电阻区B.恒流区C.夹断区D.击穿区
考题
在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A、可调电阻区B、饱和区C、击穿区D、负阻区
考题
由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。
考题
对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
考题
硅稳压管正常工作时，是工作在PN结的（）。A、正向导通区B、死区C、反向截止区D、反向击穿区
考题
在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的（）A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区
考题
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。A、可变电阻区和饱和区B、可变电阻区和击穿区C、饱和区和击穿区D、可变电阻区、饱和区和击穿区
考题
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
考题
N沟道场效应管工作在变阻区时，其等效电阻与GSS有关，VGS越大，则等效电阻（）
考题
场效应管用作放大交流小信号时，应工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
考题
当场效应管的VGSGS（th）时，则该管工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、击穿区D、截止区
考题
结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。
考题
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区
考题
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
考题
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
考题
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
考题
FET工作在可变电阻区时，iD与uGS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的d、s极间可以看成一个由uGS控制的（）。
考题
UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET
考题
场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被（）的工作区。
考题
场效应管在恒流区，iD主要由栅源电压uGS决定。
考题
下列哪种情况不是场效应管的正常工作区（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
考题
GTR的工作状态分（）。A、截止区B、放大区C、饱合区D、可调电阻区
考题
在硅稳压管稳压电路中，稳压管必须工作在什么区域？（）A、死区B、导通区C、截止区D、击穿区
考题
稳压管使用的主要特点是（）。A、不许在击穿区工作B、可在反向击穿区工作C、6V左右管子受温度影响较大
考题
多选题GTR的工作状态分（）。A截止区B放大区C饱合区D可调电阻区
考题
单选题在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A
可调电阻区B
饱和区C
击穿区D
负阻区