考题
放大电路中场效应管通常工作在()
A.可变电阻区B.恒流区C.夹断区D.击穿区
考题
通常晶体管的输出特性曲线区分为（ ）区。A.非饱和区
B.饱和区
C.截止区
D.放大区
E.线性区
考题
在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A、可调电阻区B、饱和区C、击穿区D、负阻区
考题
由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。
考题
在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的（）A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区
考题
一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）A、非饱合区B、饱合区C、击穿区D、高阻区
考题
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
考题
N沟道场效应管工作在变阻区时，其等效电阻与GSS有关，VGS越大，则等效电阻（）
考题
场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈（）关系。
考题
在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的（）。A、可变电阻（欧姆）区B、截止区C、饱和区
考题
场效应管用作放大交流小信号时，应工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
考题
当场效应管的VGSGS（th）时，则该管工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、击穿区D、截止区
考题
桌面又称为（）A、用户区B、用户工作区C、屏幕工作区D、界面
考题
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）A、A恒流区B、B可变电阻区C、C夹断区D、D击穿区
考题
场效应管工作在非饱和区时，其电压电流之间呈现（）关系。A、指数B、平方C、对数D、线性
考题
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
考题
场效应管输出特性的三个区域分别是（）区、（）区、（）区。
考题
场效应管用作α信号放大时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的（）A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
考题
下列哪种情况不是场效应管的正常工作区（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
考题
晶体三极管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区；场效应管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区
考题
函数SELECT（1）的返回值是（）。A、当前未被使用的最小工作区号B、当前未被使用的最大工作区号C、当前工作区号D、选择1号工作区作为当前工作区
考题
单选题在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A
可调电阻区B
饱和区C
击穿区D
负阻区
考题
问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
考题
填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
考题
单选题场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）A
A恒流区B
B可变电阻区C
C夹断区D
D击穿区
考题
单选题关于Ig高变区，叙述错误的是（ ）。A
高变区是Ig上与抗原结合的部位B
高变区又称决定簇互补区C
高变区可在体内诱导特异性抗体的产生D
高变区决定抗体的特异性E
Ig的两条重链高变区的氨基酸排列顺序不同