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单结晶体管的图形符号中有（）发射极。

  • A、0个
  • B、1个
  • C、2个
  • D、3个

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考题 对于单结晶体管,当发射极电压()谷点电压时,单结晶体管恢复截止。 A、小于B、等于C、大于D、远大于
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考题 单结晶体管因其发射极和基极个数,也被称为()。 A、双基极二极管B、双发射极二极管C、双基极三极管D、双发射极三极管
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考题 10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（ ）
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考题 下列关于非比例符号中定位点位置的叙述错误的是()A:几何图形符号，定位点在符号图形中心B:符号图形中有一个点，则该点即为定位点C:宽底符号，符号定位点在符号底部中心D:底部为直角形符号，其符号定位点位于最右边顶点处
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考题 下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
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考题 可控硅的图形符号就是二极管的图形符号上加一个（）。A、基极B、发射极C、集电极D、控制极
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考题 单结晶体管达到导通时的发射极电压叫（）电压，从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作（）电压。
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考题 单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变大，RB2则与发射极电流无关。
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考题 单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
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考题 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
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考题 当单结晶体管的发射极电压高于（）电压时，就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全
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考题 单结晶体管导通条件表述不正确的是（）。A、发射极电压大于峰点电压B、发射极电压小于峰点电压C、发射极电压小于谷点电压D、发射极电压大于谷点电压
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考题 单结晶体管的发射极电压高于（）电压时就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全
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考题 单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。
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考题 单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极
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考题 单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。
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考题 单结晶体管导通条件是（）。A、发射极电压大于峰点电压；B、发射极电压小于峰点电压；C、发射极电压小于谷点电压；D、发射极电压大于谷点电压。
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考题 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法（）。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流
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考题 单结晶体管发射极的文字符号是（）A、CB、DC、ED、F
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考题 单选题单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A 谷点B 峰点C 阴极D 阳极
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考题 单选题单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A 变小B 不变C 变大D 其它
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考题 单选题下面关于非比例符号中定位点位置的叙述错错误误的是（）A 几何图形符号，定位点在符号图形中心B 符号图形中有一个点，则该点即为定位点C 宽底符号，符号定位点在符号底部中心D 底部为直角形符号，其符号定位点位于最右边顶点处
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考题 填空题单结晶体管达到导通时的发射极电压叫（）电压，从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作（）电压。
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考题 填空题单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。
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考题 单选题下面关于非比例符号中定位点位置的叙述错误的是（）。A 几何图形符号，定位点在符号图形中心B 符号图形中有一个点，则该点即为定位点C 宽底符号，符号定位点在符号底部中心D 底部为直角形符号，其符号定位点位于最右边顶点处
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考题 单选题可控硅的图形符号就是二极管的图形符号上加一个（）。A 基极B 发射极C 集电极D 控制极
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