考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
考题
MOS场效应管有增强型与耗尽型。()
此题为判断题(对，错)。
考题
下列描述正确的是（）A、场效应管是电压控制电流元件B、场效应管输入电阻较小C、场效应管是双极型晶体管
考题
根据PN结的组合方式不同，晶体三极管有（）型和（）型二种类型。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
单极型半导体器件是（）。A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管
考题
晶体管有几个极？几个PN结？它们的名称是什么？
考题
绝缘栅双极型晶体管是用什么与集电极复合而成？
考题
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
考题
场效应管是（）制型元件，而双极型三极管是（）控制型元件。
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
由于晶体三极管（），所以将它称为双极型的，由于场效应管（），所以将其称为单极型的。
考题
场效应管属于（）型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是（）型器件。
考题
双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
考题
场效应管属于（）控制型器件，而晶体三极管则认为是（）控制型器件。
考题
晶体三极管是（）控制型器件，是（）型器件。场效应管是（）控制型器件，是（）型器件
考题
根据PN结的组合方式不同，晶体三极管有（）型和（）型两种类型。
考题
晶体三极管有哪几个工作区？由此可说明晶体三极管有哪些功能？
考题
单选题双极型晶体管有（）A
二个pn结B
一个pn结C
三个pn结D
没有pn结
考题
单选题下列描述正确的是（）A
场效应管是电压控制电流元件B
场效应管输入电阻较小C
场效应管是双极型晶体管
考题
多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有（）A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT
考题
问答题1）试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2）试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。
考题
问答题半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？