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再次免疫应答错误叙述()

  • A、APC是Bm
  • B、Bm提呈抗原同M¢
  • C、Bm的BCR识别抗原
  • D、Bm活化无需CK

参考答案

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考题 特异性免疫应答的有关概念中,"淋巴细胞初次接触特定抗原→产生应答→形成特异性记忆细胞→以后再次接触相同抗原刺激→记忆细胞迅速被激活产生强的再次应答"属于A.抗原(Ag)B.免疫应答C.免疫应答的特异性D.免疫应答的记忆性E.免疫应答的耐受性

考题 再次应答免疫效果优于初次应答因为A、再次应答抗体产生潜伏期短B、再次应答抗体产生产量高C、再次应答产生的抗体亲和力高D、再次应答产生的抗体在体内维持时间长E、以上均正确

考题 有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是A、初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期长D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞

考题 关于固有免疫应答和适应性免疫应答叙述错误的是( )A、固有免疫应答起作用早B、适应性免疫应答维持时间长C、适应性免疫应答有记忆性D、固有免疫应答启动适应性免疫应答E、两者是截然分开的

考题 关于免疫耐受的叙述,下列哪项是错误的( )A、是一种非特异性的免疫应答B、是一种特异性免疫应答C、是免疫无应答状态D、是负免疫应答E、是免疫应答的一种重要类型

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的

考题 体液免疫应答再次应答时优势免疫球蛋白是A.IgGB.IgMC.IgAD.IgDE.IgE

考题 关于免疫应答的叙述,错误的是A.需经抗原诱导产生B.分为体液和细胞免疫应答两种类型S 关于免疫应答的叙述,错误的是A.需经抗原诱导产生B.分为体液和细胞免疫应答两种类型C.有多种细胞及分子参与D.在外周免疫器官中发生E.其结局总是对机体是有益的

考题 有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是A.初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgG B.再次应答抗体亲和力高 C.再次应答产生IgG的潜伏期长 D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞 E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞

考题 体液免疫应答中再次应答与初次应答的不同之处是什么?

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的()A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的

考题 再次免疫应答的意义是什么?

考题 再次免疫应答

考题 比较初次免疫应答和再次免疫应答抗体产生的规律。

考题 免疫耐受错误叙述()A、有特异性B、对非耐受原亦不应答C、可避免自身免疫D、不影响整体免疫应答

考题 比较初次免疫应答和再次免疫应答抗体产生规律。

考题 特异性免疫应答的有关概念中,“淋巴细胞初次接触特定抗原→产生应答→形成特异性记忆细胞→以后再次接触相同抗原刺激→记忆细胞迅速被激活产生强的再次应答”属于()A、抗原(Ag)B、免疫应答C、免疫应答的特异性D、免疫应答的记忆性E、免疫应答的耐受性

考题 胸腺依赖性抗原引发的体液免疫既有初次应答,()再次应答,而非胸腺依赖性抗原()初次应答,()再次应答。

考题 填空题胸腺依赖性抗原引发的体液免疫既有初次应答,()再次应答,而非胸腺依赖性抗原()初次应答,()再次应答。

考题 问答题比较初次免疫应答和再次免疫应答抗体产生规律。

考题 问答题比较初次免疫应答和再次免疫应答抗体产生的规律。

考题 判断题初次免疫应答产生的抗比再次免疫应答产生的抗体多。A 对B 错

考题 问答题简述再次免疫应答和初次应答的异同。

考题 单选题关于固有免疫应答和适应性免疫应答叙述错误的是()A 固有免疫应答起作用早B 适应性免疫应答维持时间长C 适应性免疫应答有记忆性D 固有免疫应答启动适应性免疫应答E 两者是截然分开的

考题 单选题再次应答免疫效果优于初次应答因为(  )。A 再次应答抗体产生潜伏期短B 再次应答抗体产生产量高C 再次应答产生的抗体亲和力高D 再次应答产生的抗体在体内维持时间长E 以上均正确

考题 单选题关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A 免疫应答过程中可产生Bm、TmB 在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C 记忆细胞表达CD45RAD 记忆细胞表面分子表达有改变E 再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生