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在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。

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更多 “在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。” 相关考题
考题 在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。 A、P,NB、N,PC、P,PD、N,N
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考题 PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
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考题 将一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起便形成了PN结。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
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考题 将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后，会有机地结合在一起，就在交界外形成了电荷的薄层，这个带电荷的薄层称为（）。A、PN节B、N型节C、P型节D、V型节
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考题 将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后，会有机地结合在一起，就在交界处形成了有电荷的薄层，这个带电荷的薄层称为（）。A、PN节B、N型节C、P型节
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考题 只要把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起，就构成一个PN结。
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考题 用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起，在它们交界面上形成的特殊（）称做PN结。
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考题 半导体晶体管所以具有单向导电性，是因为制造时使用特殊工艺，将P型半导体与N型半导体结合在一起，从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 在N型半导体和P型半导体的交界面附件形成的具有特殊导电性能的薄层称为（）。
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考题 什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
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考题 n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
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考题 N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
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考题 晶体管是在PN接合半导体上，再接合一块P型或N型半导体
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考题 当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
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考题 在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
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考题 将一块N型半导体和一块P型半导体相互接触，在其接触面上会形成一个PN结。
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考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
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考题 判断题P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A 对B 错
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考题 填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的（）而形成的，其多数载流子是（）。
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考题 单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A 空穴是多数载流子B 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
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考题 问答题简述P型和N型半导体载流子的形成。
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考题 填空题在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
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考题 判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的掺杂半导体。A 对B 错
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考题 填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
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