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填空题
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。

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考题 将一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起便形成了PN结。() 此题为判断题(对,错)。

考题 硅太阳能电池是以n型硅半导体作基体,再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的×××型硅半导体构成。

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 N型半导体是指在本征半导体中加入微量五价元素所形成的半导体,那么,P型半导体是指在本征半导体中加入微量()价元素所形成的半导体。A、二B、三C、四D、五

考题 怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

考题 将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后,会有机地结合在一起,就在交界处形成了有电荷的薄层,这个带电荷的薄层称为()。A、PN节B、N型节C、P型节

考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。

考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 在N型半导体和P型半导体的交界面附件形成的具有特殊导电性能的薄层称为()。

考题 在杂质半导体中,()是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体

考题 什么叫掺杂半导体?什么叫N型半导体?什么叫P型半导体?

考题 n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量(),p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量()在价带附近形成掺杂的能级。

考题 在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。

考题 在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成()。A、P型半导体B、N型半导体C、异性半导体D、C型半导体

考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质,可形成两种不同的杂质半导体,即N型半导体和()半导体。

考题 在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为()。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、化合物半导体

考题 在纯净的半导体中加入少量的+5价元素,形成()A、本征半导体B、N型半导体C、P型半导体D、杂质半导体

考题 晶体管是在PN接合半导体上,再接合一块P型或N型半导体

考题 当()后,就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体

考题 在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。A、W型B、N型有P型C、U型

考题 将一块N型半导体和一块P型半导体相互接触,在其接触面上会形成一个PN结。

考题 在纯净的半导体中,掺微量杂质则导电能力会()在P型半导体和N型半导体之交界处的薄层叫()。

考题 N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 在半导体中掺人微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型

考题 判断题P是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。A 对B 错

考题 判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层(相对)很厚的掺杂半导体。A 对B 错