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温度的变化造成晶体管参数的改变，易影响高频振荡器的振荡频率。

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考题 高频电磁场的场强强的地点为()。 A、 场强不受影响B、 距离振荡器和振荡回路越近的地方C、 距离振荡器和振荡回路越远的地方
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考题 电子分频器是由频率可调的()等基本滤波器组合而成的。 A、低频振荡器、高频振荡器B、模数变化器、模数变换器C、低通滤波器、高通滤波器D、低频放大器、高频放大器
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考题 高频离心铸造机高频振荡器的振荡频率是A、1.2～2.0MHzB、3MHzC、10MHzD、5～10MHzE、100kHz
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考题 LC振荡器的频率变化范围仅为1：3，而文氏电桥振荡器的频率变化范围可高达1：10，因而RC结构的振荡器被广泛地使用于汛号源。
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考题 用SSB接收机的天线引线靠近一个晶体管LC振荡器电路板，接收其信号。振荡器电路接通电源后，发现收到的信号音调会从低到高或者从高到低变化。这主要因为（）A、元器件通电发热，引起相关LC参数变化，造成谐振频率漂移B、半导体晶体管处于老化过程C、随着射频能量泄露，电路的输出功率下降D、接收机的声音能量反馈到电路板引起
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考题 稳定振荡器频率的措施中，减小负载将（）。A、提高回路Q值B、稳定晶体管参数C、加大L／C的比值D、减小工作点的变动
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考题 高频信号发生器的高频振荡器，通常采用（）。A、RC振荡器B、LC振荡器C、触发振荡器D、变形间歇振荡器
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考题 增大单结晶体管振荡器中充电回路时间常数，可改变输出脉冲（）。A、频率B、相位C、幅度D、频率和幅度
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考题 晶体管接近开关以（）最常用，它主要由振荡器、检测和晶体管输出组成。A、低频振荡型B、中频振荡型C、高频振荡型D、振荡型
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考题 振荡器的频率稳定度是指由于外界条件的变化，引起振荡器的实际工作频率偏离标称频率的程度。
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考题 （），即由于供电系统条件发生改变，致使振荡电压源和电流发生改变、振荡器件的工作参数发生改变，最终使振荡器出现（）。
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考题 振荡电路的种类很多，按结构不同分为（）。A、LC振荡器B、RC振荡器C、高频振荡器D、间歇振荡器
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考题 造成高频振荡器频率不稳的原因有哪些？
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考题 压控振荡器简称VCO，它是（）和（）的总称，该振荡器的频率是通过调节电压来改变的。
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考题 调幅是指高频正弦振荡器的（）随低频信号振幅的瞬时值而变化。A、振幅B、频率C、相位D、角频率
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考题 在接收机中，自动频率控制电路的作用是（）。A、使接收频率等于振荡器的频率B、使接收频率和振荡器的频率都等于一个新的频率C、使接收频率能在一定的范围变化D、使振荡器的频率等于接收频率
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考题 LC正弦波振荡电路的振荡频率主要取决于谐振回路的参数，而与晶体管参数及负载电阻大小无关。因此当晶体管参数及负载电阻改变时，振荡电路的频率稳定度不变。
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考题 影响高频信号发生器频率稳定度的主要原因是外界条件（如温度、电源电压、负载、温度等）的变化，直接影响LC振荡回路参数的变化和电路和元件内部的噪声、（）等产生的寄生相移引起的间接的频率变化。
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考题 振荡器的长期频率稳定度主要取决于（）A、有源器件、石英晶体等器件老化特性B、外界因素，如环境温度、电压变化等C、电路参数不稳定
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考题 压控振荡器的振荡频率随（）的变化而改变。A、电容B、电阻C、输入电压D、输入电流
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考题 石英晶体振荡器的振荡频率与温度变化有关。
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考题 振荡频率高且频率稳定度高的振荡器是（）。A、RC振荡器B、LC振荡器C、RL振荡器D、石英晶体振荡器
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考题 DDZ-Ⅱ型差压变送器的检测铝片接近平面检测线圈时，检测线圈的电感量（）。A、没什么变化，但在铝片中产生的涡流使高频振荡器的频率增加B、没什么变化，但在铝片中产生的涡流使高频振荡器的频率降低C、减小D、增大
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考题 填空题要产生较高频率信号应采用（），要产生较低频率信号应采用RC振荡器，要产生频率稳定度高的信号应采用石英晶体振荡器。
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考题 单选题为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用（）.A LC正弦波振荡器B 晶体振荡器C RC正弦波振荡器
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考题 判断题振荡器的频率稳定度是指由于外界条件的变化，引起振荡器的实际工作频率偏离标称频率的程度。A 对B 错
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