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应用回切法制作PFM金属基底蜡型时，回切厚度下列说法正确的是（）
- A、切缘2.0～2.5mm，唇侧1.5mm，舌侧1.0mm
- B、切缘1.5～2.0mm，唇侧1.0mm，舌侧0.5～1.0mm
- C、切缘2.0～2.5mm，唇侧1.0mm，舌侧0.5～1.0mm
- D、切缘1.5～2.0mm，唇侧1.5mm，舌侧0～1.0mm
- E、切缘1.5～2.0mm，唇侧1.0mm，舌侧1.5mm
参考答案
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考题
患者，男，30岁，|1牙冠切1/3折断，已行根管治疗，要求做PFM冠修复。蜡型切缘回切的厚度为A、0.5～1.0mmB、1.0～1.2mmC、1.2～1.5mmD、1.5～2.0mmE、2.0mm以上金属基底熔模的最佳制作方法是A、在模型上直接成形法B、在模型上全冠外形再现后烫蜡成形法C、在口内直接成形法D、直接间接法E、间接直接法
考题
金-瓷修复体中金属基底冠蜡型的要求，不正确的是A、蜡型的厚度应均匀一致B、表面应光滑无锐角C、表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合D、金属衔接处应避开咬合功能区，防止瓷裂E、蜡型厚度应保证金属底冠为0.3mm厚度
考题
应用回切法制作PFM金属基底蜡型时，回切厚度下列说法正确的是A、切缘2．0～2．5mm，唇侧1．5mm，舌侧1．0mmB、切缘1．5～2．0mm，唇侧1．0mm，舌侧0．5～1．0mmC、切缘2．0～2．5mm，唇侧1．0mm，舌侧0．5～1．0mmD、切缘1．5～2．0mm，唇侧1．5mm，舌侧0～1．0mmE、切缘1．5～2．0mm，唇侧1．0mm,舌侧1．5mm
考题
关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是 ( )A、蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B、表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合C、切缘应成锐角D、厚度均匀一致，表面光滑圆钝E、金-瓷衔接处应在咬合功能区
考题
金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是 ( )A.代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
B.上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
C.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉
D.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉
E.上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
考题
PFM牙体预备时，下列有关PFM的说法错误的是（）A、牙体预备时，各轴壁应无倒凹B、上前牙的切斜面向舌侧，下前牙切面向唇侧C、金属-烤瓷衔接处瓷层应为刃边状D、要保证切端瓷的厚度E、要保证正中牙合与非正中牙合均有足够的间隙
考题
单选题患者男，30岁，牙冠切1／3折断，已行根管充填，要求做PFM冠修复
蜡型牙冠再现后回切的目的是（）。A
可以正确把握最终形态B
金-瓷交界处可以光滑平整地过度C
可以确保瓷层厚度均匀D
可以把握瓷的构筑量E
以上均是
考题
单选题患者，男，30岁， 牙冠切1/3折断，已行根管充填，要求做PFM冠修复。 蜡型切缘回切的厚度。（）A
0.5～1.0mmB
1.0～1.2mmC
1.2～1.5mmD
1.5～2.0mmE
2.0mm以上
考题
单选题金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（ ）A
上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B
代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C
代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D
代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E
上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
考题
单选题基底冠蜡型同切的主要目的是（ ）。A
在每个部位获得均一的瓷层厚度B
能保证基底冠的厚度C
操作简单方便D
获得表面光滑的基底冠蜡型E
获得金-瓷交界线的正确位置
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