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一台DW8—35型断路器,其A相一支套管的测试介损tgδ为7.9%;落下油桶时,为6.7%;去掉灭弧室时,为5.7%。这说明该套管的绝缘是良好的。


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考题 一支220KV套管运行一年后,其介损tgσ值由0.37%上升至3.2%,可能的原因()。A、电容屏产生悬浮电位B、油纸中有气泡C、严重受潮

考题 35kV变压器出厂验收时,应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。A、18B、20C、22D、25

考题 当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定,则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。

考题 测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器,其主绝缘介损tgδ值为0.33%;末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%,以下几种诊断意见,其中()哪项是错误的。A、主绝缘良好,可以继续运行B、暂停运行,进一步做油中溶解气体色谱分析及油的水分含量测试C、末屏绝缘介损超标D、不合格

考题 一支220kv套管运行一年后,其介损tgδ值由0.37%上升至3.2%,可能的原因是()。A、电容屏产生悬浮电位B、油纸中有气泡C、严重受潮

考题 特高压变压器出厂例行试验需要包括()A、直流电阻测试B、变压器连同套管电容与介损值测试C、合闸回路测试D、空载试验

考题 一台DW8-35型油断路器,在分闸状态下,测得A相套管和灭弧室的tg∮为7.9%,落下油箱后,tg∮为6.7%;卸去灭弧室并擦净套管表面后,tg∮为5.7%据此可判定该套管绝缘良好。

考题 当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

考题 绝缘体有缺陷时,其介损tgδ将随试验()升高而变()。

考题 分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn,则并联在一起测得的介损值为这些值中的()。A、最小值B、平均值C、最大值D、介于最大与最小值之间

考题 测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。

考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)

考题 用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。

考题 测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时,相同电压等级的(),将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地,否则会造成较大的误差。A、其他非测试相绕组及中性点悬空B、绕组中性点接地C、其他非测试相绕组及中性点短路D、三相绕组及中性点必须短接加压

考题 一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%,绝缘电阻10000MΩ,末屏对地绝缘电阻为60MΩ,介损tgδ值16.3%,是否可以继续运行()。A、可以,主绝缘良好B、不可以,已进水受潮C、观察一段时间

考题 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

考题 用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

考题 小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。

考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ,应采用何种接线?如何接线?

考题 用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。

考题 测量一台110kV电力变压器,高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ,当tgδ不合格时,一般表明其高压套管tgδ不合格。

考题 做一台35kV多油断路器介损试验,应该准备哪些设备?

考题 DW8─35型断路器的最大分闸速度为(),最大合闸速度为()。

考题 一支220KV套管运行一年后,其介损tgδ值由0.28%上升到4.23%,可能原因是()。A、电容屏产生悬浮电位B、电容层间短路C、油纸中有气泡D、严重受潮

考题 单选题一支220kv套管运行一年后,其介损tgδ值由0.37%上升至3.2%,可能的原因是()。A 电容屏产生悬浮电位B 油纸中有气泡C 严重受潮

考题 单选题一支220KV套管运行一年后,其介损tgσ值由0.37%上升至3.2%,可能的原因()。A 电容屏产生悬浮电位B 油纸中有气泡C 严重受潮

考题 判断题一台DW8-35型油断路器,在分闸状态下,测得A相套管和灭弧室的tg∮为7.9%,落下油箱后,tg∮为6.7%;卸去灭弧室并擦净套管表面后,tg∮为5.7%据此可判定该套管绝缘良好。A 对B 错