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测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时，相同电压等级的（），将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地，否则会造成较大的误差。

  • A、其他非测试相绕组及中性点悬空
  • B、绕组中性点接地
  • C、其他非测试相绕组及中性点短路
  • D、三相绕组及中性点必须短接加压

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考题 为什么在高电压变压器上大都采用油纸电容式套管，而较少采用胶纸电容式套管？
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考题 油纸电容式套管末屏上引出的小套管是供套管介损试验和变压器局部放电试验用的。正常运行中小套管应可靠地接地。
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考题 测量变压器电容型套管的tanδ和电容值用正接法测量（）
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考题 测量装在三相变压器的任一相电容型套管的tg∮和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差。
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考题 当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
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考题 110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、18B、20C、22D、25
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考题 变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、10B、15C、20D、25
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考题 电容型变压器套管在安装前必须做两项实验：tgδ及电容量的测量。
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考题 油浸电容式套管的试验项目有（）。A、绝缘电阻B、交流耐压C、电容值和介损D、油色谱分析
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考题 变压器套管介质损耗因数介损超过标准要求（）。A、结合套管电容量、绝缘电阻、油色谱等诊断性试验结果进行综合分析B、开展B类检修更换套管C、结合套管电容量、绝缘电阻等诊断性试验结果进行综合分析，开展C类检修更换套管D、结合套管电容量、绝缘电阻、油色谱等诊断性试验结果进行综合分析，开展A类检修更换套管
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考题 在运行中的变压器发生异常时，通过进行（）可以发现变压器铁心磁路中的局部和整体缺陷。A、绕组介损试验B、空载试验C、套管电容量测试D、绕组绝缘电阻
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考题 进行电容型试品末屏介损测量时，期试验电压一般不应超过（2）kV。
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考题 用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。A、大B、相等C、小D、以上均不是
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考题 测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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考题 测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tgδ和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差。
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考题 测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V
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考题 在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
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考题 用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量，操作不正确的是（）。A、拆除高压引线B、将中间变压器高压绕组接地端断开C、电桥输出电压10000VD、电桥输出电压不能过高
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考题 小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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考题 用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
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考题 进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。（）
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考题 当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器C1和C2的电容量和介损时，必须严格按照试验规程规定。（）
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考题 当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。
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考题 判断题测量装在三相变压器的任一相电容型套管的tg∮和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差。A 对B 错
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