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为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？

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考题 在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )
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考题 QSl型西林电桥正接线适用于被试品一端接地的情况。( )
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考题 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A对B错
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考题 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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考题 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
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考题 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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考题 QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
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考题 QS1电桥测量介质损耗角的反接法适用于试品一端接地的情况。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩
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考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A、低B、高C、相等
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考题 西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线
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考题 试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
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考题 在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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考题 测试介质损失角正切时，QS1型西林电桥有（）种接线方式。A、二B、三C、四D、五
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考题 用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
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考题 小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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考题 现场用电桥测量介质损耗因数，出现负数的可能原因是（）。A、标准电容器有损耗B、外部电场干扰C、试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响D、空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响
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考题 判断题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A 对B 错
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考题 单选题西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A 正接线B 反接线C 交叉接线
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考题 判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A 对B 错
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考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。A 可以试品一端接地B 试品设在高压端C 不适用于现场试验D 操作方便
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考题 判断题西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A 对B 错
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考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用正接法（）。A 需要试品两端对地绝缘B 试品设在低压端C 适用于现场试验D 需要注意操作人员安全
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考题 判断题QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。A 对B 错
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