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填空题
半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。

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考题 有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
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考题 在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（　　）。 A． 霍尔片的厚度 B． 霍尔元件材料的电阻率 C． 材料的载流子迁移率 D． 霍尔元件所处的环境温度
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考题 电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率 B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度 C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率 D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
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考题 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）
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考题 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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考题 氧化型气体吸附到N型半导体上，将使载流子数目（），从而使材料的电阻率（）．
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考题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高B、不确定C、越低D、不变
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考题 掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 Electrical conductivity（）A、电导率B、载流子数C、载流子迁移率
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考题 半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
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考题 P型半导体材料导电的载流子是空穴。
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考题 制作霍尔元件应采用的材料是（），因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现电势差最大。
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考题 金属的载流子迁移率大，所以经常用金属作为霍尔元件的材料。
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考题 当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
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考题 制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。
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考题 主要半导体材料是（）和（）；两种载流子是（）和（）；两种杂质半导体是（）和（）。
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A、多数载流子移动度uB、电阻率ρC、少数载流子寿命τD、符合效果
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考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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考题 多选题化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A多数载流子移动度uB电阻率ρC少数载流子寿命τD符合效果
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考题 填空题氧化型气体吸附到N型半导体上，将使载流子数目（），从而使材料的电阻率（）．
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考题 单选题Electrical conductivity（）A 电导率B 载流子数C 载流子迁移率
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考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A 越高B 不确定C 越低D 不变
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考题 单选题N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）A 相等B 小C 大
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考题 单选题在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（　　）。[2007年真题]A 霍尔片的厚度B 霍尔元件材料的电阻率C 材料的载流子迁移率D 霍尔元件所处的环境温度
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考题 单选题MOSFET的温度特性体现为：（）。A 温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B 温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C 温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D 温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
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