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当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。

  • A、载流子数增加,电阻减小
  • B、载流子数减少,电阻减小
  • C、载流子数增加,电阻增大
  • D、载流子数减少,电阻增大

参考答案

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考题 电子型半导体又叫P型半导体,空穴型半导体又叫N型半导体。() 此题为判断题(对,错)。

考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷,可形成()A、N型半导体B、P型半导体C、PN结D、导体

考题 怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

考题 P型半导体是电子型半导体。

考题 气敏半导瓷材料氧化锡是()型半导体。

考题 在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷,可形成()。A、N型半导体B、PN结C、P型半导体D、导体

考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。

考题 1N4007中的“1”表示含义为()的数量。A、PN结B、P型半导体C、N型半导体D、管子封装材料

考题 氧化型气体吸附到N型半导体上,将使载流子数目(),从而使材料的电阻率().

考题 将硼元素掺进硅晶体内,则成为何种半导体?()A、N型B、P型C、本质型半导体D、NPN型

考题 基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。

考题 霍尔传感器通常选择()材料制作。A、N型半导体B、P型半导体C、金属导体D、导体和半导体

考题 为了增大霍尔元件的灵敏度,霍尔元件多选用()制作。A、金属材料B、绝缘材料C、N型半导体D、P型半导体

考题 P型半导体材料导电的载流子是空穴。

考题 霍尔元件多采用P型半导体材料。

考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

考题 当()后,就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体

考题 P型半导体是由半导体晶体材料中掺入()而生成。A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、电子

考题 填空题气敏半导瓷材料氧化锡是()型半导体。

考题 填空题P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻,但是通常使用N型半导体材料,这是由于电子的()比空穴大。

考题 填空题氧化型气体吸附到N型半导体上,将使载流子数目(),从而使材料的电阻率().

考题 填空题半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

考题 判断题基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。A 对B 错

考题 单选题N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率()A 相等B 小C 大