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判断题
被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象,称为内光电效应。
A

B


参考答案

参考解析
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考题 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。() 此题为判断题(对,错)。

考题 自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

考题 光敏晶体管是利用物质在光的照射下电导性能改变或产生()而制成的光电器件。A、外光电效应B、光电导效应C、光生伏特效应

考题 在光电作用下,使物体的内部产生定向电动势的现象称()效应。 A、内光电B、外光电C、热电D、光生伏特

考题 在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。() 此题为判断题(对,错)。

考题 下列有关光子与物质相互作用描述正确的是()。 A、光子与物质原子核发生作用,产生光电效应B、光子与物质原子的内壳层电子发生作用,产生充电效应C、光子与物质原子的外壳层电子发生作用,产生光电效应D、以上都不对

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 当光束照射到物质上时,光与物质之间便产生光的()、()、()、()等现象。

考题 受光照射的物质在一定方向产生电势的现象叫()A、外光电效应B、光生伏特效应C、内光电效应D、光电磁效应

考题 在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()A、光电效应B、光生伏特效应C、内光电效应D、外光电效应

考题 下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

考题 在光线作用下,半导体电导率改变的现象属于().A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光生伏特效应

考题 外光电效应是指受光照物体(通常为半导体材料)电导率发生变化或产生光电动势的效应。

考题 光电效应是指在光线作用下,受光照的物体的导电率发生变化或产生光电电动势的现象。

考题 若使某些强介电常数物质的表面温度发生变化,随着温度的上升或下降,在这些物质表面会产生电荷的变化,这种现象称为()。A、压电效应B、内光电效应C、热释电效应D、外光电效应

考题 光照射于某一物体上,使电子从这些物体表面逸出的现象称为()。A、外光电效应B、内光电效应C、光电导效应D、光生伏特效应

考题 在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象称为()。A、外光电效应B、内光电效应C、光电导效应D、光生伏特效应

考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

考题 半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

考题 单选题被光激发产生的电子溢出物质表面,形成真空中的电子的现象叫做()A 内光电效应B 外光电效应C 光生伏特效应D 丹培效应

考题 判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A 对B 错

考题 填空题自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。

考题 填空题空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。

考题 单选题在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()A 光电效应B 光生伏特效应C 内光电效应D 外光电效应

考题 单选题当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为()A 内光电效应B 外光电效应C 光磁电效应D 光子牵引效应

考题 判断题外光电效应是指受光照物体(通常为半导体材料)电导率发生变化或产生光电动势的效应。A 对B 错

考题 单选题在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()A 外光电效应B 光电发射C 内光电效应D 光生伏特效应