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问答题
伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管,试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下,哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?

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考题 三极管有PNP型、NPN型两种,若工作在放大状态时:其条件是______。A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结集电结都反向偏置C.发射结集电结都正向偏置D.视管子类型而定

考题 只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。() 此题为判断题(对,错)。

考题 PNP型晶体管的电流是从集电极流向发射极。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。() 此题为判断题(对,错)。

考题 PNP型三级管放大电路中测的发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为()A、饱和状态B、截止状态C、放大状态D、不能确定

考题 PNP晶体管是由锗材料制成。

考题 在PNP型晶体管中,N型半导体的引出线基极用()表示,它起控制作用。A、bB、cC、dD、e

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考题 晶体管是由半导体形成的,有()和()两种。A、PNP、PNPB、NPN、NPNC、PNP、NPND、PNN、NPP

考题 当某单级PNP型晶体管出现部分波形截止失真时,表明三极管的工作状态在()。

考题 如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型?

考题 在放大电路中,若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V,则该管为()A、NPN型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、PNP型硅管

考题 根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 那种PLC的输出形式,输出可以不考虑电源极性()。A、继电器输出B、NPN型晶体管输出C、PNP型晶体管输出D、晶闸管输出

考题 晶体管符号中,箭头朝内者,表示它是()。A、硅管;B、锗管;C、NPN管;D、PNP管。

考题 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是()。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极

考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v,VE=-7v,VC=-4v,可以判定此晶体管是()管,处于()。A、NPN管,饱和区B、PNP管,放大区C、PNP管,截止区D、NPN管,放大区

考题 晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。A、NPN型晶体管;B、PNP型晶体管;C、硅管;D、锗管。

考题 晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。

考题 判断题PNP晶体管是由锗材料制成。A 对B 错

考题 问答题如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应?

考题 单选题晶体管按导电类型可分()。A NPN型及PNP型晶体管B N型晶体管C P型晶体管D PNP晶体管

考题 问答题横向PNP管ft小的原因?

考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管,工作在放大状态时其条件是()A 发射结正向偏置,集电结反向偏置B 发射结反向偏置,集电结正向偏置C 发射结正向偏置,集电结正向偏置D 发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 填空题双极型晶体管其有两种基本结构:PNP型和()型。

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