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问答题
晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件各为什么?

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考题 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结和集电结都正偏。()

考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

考题 晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。

考题 晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。

考题 为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。 A.掺杂少B.鼠掺杂多C.纯净D.不掺杂

考题 晶体管电流放大作用的实质是什么?为什么晶体管具有电流放大作用?

考题 三极管的电流放大作用应满足的条件是什么?

考题 晶体管处于放大状态的内部条件和外部条件是什么?

考题 为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。A、掺杂少B、鼠掺杂多C、纯净D、不掺杂

考题 晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件各为什么?

考题 晶闸管和晶体管都能用小电流控制大电流,因此它们都具有放大作用。

考题 三极管在一定的外部条件下具有()放大作用。A、电压B、电流C、电阻D、电极

考题 晶体管的放大作用主要表现在:()A、电流放大B、电压放大C、正向放大

考题 何为晶体管的电流放大作用,电流放大系数如何计算?

考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合

考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏

考题 晶体三极管有两个PN结,即()结和()结;要具有电流放大作用必须具备的外部条件是()和()

考题 晶体管能够放大的内部条件是()A、大于B、小于C、等于D、不变E、变宽F、变窄

考题 晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。

考题 晶体管的主要特性是具有()。A、单向导电性B、滤波作用C、稳压作用D、电流放大作用

考题 晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件个为什么?

考题 三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置;三极管的结温升高时穿透电流ICEO将()。

考题 三极管具有放大作用的外部条件是()、()。

考题 晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和()结反向偏置。

考题 晶体管有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。

考题 晶体管电流放大作用的实质是以微小电流控制较大电流。

考题 单选题若使晶体管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()。A 发射结正偏,集电结正偏B 发射结反偏,集电结反偏C 发射结正偏,集电结反偏D 发射结反偏,集电结正偏