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单选题
半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
A

价带,导带

B

价带,禁带

C

禁带,导带

D

导带,价带


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 当本征半导体温度升高时,电子和空穴的数目都()。

考题 在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。

考题 本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。此题为判断题(对,错)。

考题 若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()

考题 本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh()

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。()

考题 半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体

考题 在本征半导体中,自由电子和空穴是独自产生的,互相无关联。

考题 在特定位置光子束对轨道电子的能量转移,不会导致在相同位置能量被介质吸收,这是因为()A、光子强度B、光子能量C、次级电子有射程D、次级电子强度E、次级电子能量

考题 本征半导体中,空穴对外呈正电,其电量与电子电量相等。

考题 本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。A、自由电子数目增加,空穴数目不变B、空穴数目增多,自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 下列说法错误的有()。A、PIN吸收一个光子只产生一个电子B、APD能产生二次电子-空穴对C、APD吸收一个光子只产生一个电子D、APD和PIN都是加负偏压

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

考题 本征半导体温度升高以后()。A、自由电子增多,空穴数基本不变B、空穴数增多,自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。A、大于B、等于C、小于

考题 本征半导体温度升高后()。A、自由电子数目增多,空穴数目基本不变B、空穴数目增多,自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

考题 本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。

考题 填空题光照射在物体上可以看成一连串具有一定能量的光子轰击这些物体,一个光子的能量只能给一个电子,因此电子增加的能量为hv。电子获得能量后释放出来,参加导电。这种物体吸收光的能量后产生电效应的现象叫做()。

考题 判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A 对B 错

考题 单选题当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为()A 内光电效应B 外光电效应C 光磁电效应D 光子牵引效应

考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带,这一过程称为()A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收

考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下,中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带,同样,中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带,这种吸收称为()A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收

考题 单选题本征半导体载流子()A 自由电子和空穴的浓度无法确定B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度相等