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在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

  • A、大于
  • B、等于
  • C、小于

参考答案

更多 “在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。A、大于B、等于C、小于” 相关考题
考题 在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。
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考题 如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。 A、N型B、P型C、本征
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考题 P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。 A、大于B、小于C、等于D、大于或等于
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
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考题 半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做（）。A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体
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考题 在纯净半导体内掺入适量的硼元素后，整个半导体（）。A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度C、空穴和自由电子的浓度不变
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考题 在本征半导体中，自由电子和空穴是独自产生的，互相无关联。
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考题 杂质半导体（）A、自由电子和空穴的浓度不相等B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度无法确定
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考题 本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
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考题 在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）A、自由电子B、空穴C、硼元素D、磷元素
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考题 在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。
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考题 本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
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考题 在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。A、大于B、等于C、小于
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考题 本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
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考题 本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
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考题 在本征半导体中，（）是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴
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考题 P型半导体的特点是（）A、自由电子浓度大于空穴的浓度B、空穴的浓度大于自由电子的浓度C、自由电子的浓度等于空穴的浓度
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考题 本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。
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考题 填空题自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体
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考题 单选题N型半导体（）A 自由电子和空穴的浓度相等B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度无法确定
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考题 单选题本征半导体载流子（）A 自由电子和空穴的浓度无法确定B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度相等
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考题 单选题杂质半导体（）A 自由电子和空穴的浓度不相等B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度无法确定
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