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题目内容 (请给出正确答案)
单选题
用釉粉上釉的烧结温度是(  )。
A

B

C

D

E


参考答案

参考解析
解析:
用釉粉上釉一般以低于体瓷烧结温度6~8℃进行烧结,以保证体瓷不变形。
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考题 上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

考题 若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20~30℃B、高10~20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10~20℃

考题 用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

考题 上釉的烧结温度是A.低于体瓷温度5℃B.低于体瓷温度10℃C.低于体瓷温度20℃D.高于体瓷温度5℃E.高于体瓷温度10℃

考题 现代常用的施釉方法有()A、上釉法B、淋釉釉C、喷釉法D、浸釉法

考题 烧制前的最后一道工序是()A、上釉B、施釉C、加釉D、上色

考题 把坏体直接浸入釉中的是()A、上釉B、淋釉釉C、加釉D、浸釉法

考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

考题 上釉的烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

考题 烧结矿中薄壁大气孔结构产生产原因是生成()。A、烧结温度太低B、烧结温度太高C、焦粉配比太多D、液相量太多

考题 对于坏形大,不易拿放的坏体采用的上釉法是()A、上釉法B、淋釉釉C、喷釉法D、浸釉法

考题 薄胎瓷、大花瓶等制品适宜用()上釉。A、浸釉法B、喷釉法C、浇釉法D、荡釉

考题 单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是(  )。A B C D E

考题 单选题若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度(  )。A 高20~30℃B 高10~20℃C 高10℃以内D 低10℃以内E 低10~20℃

考题 单选题对于坏形大,不易拿放的坏体采用的上釉法是()A 上釉法B 淋釉釉C 喷釉法D 浸釉法

考题 单选题上釉的烧结温度是()A 低于体瓷烧结温度5℃B 低于体瓷烧结温度10℃C 高于体瓷烧结温度5℃D 高于体瓷烧结温度10℃E 以上均不正确

考题 单选题影响烧结的因素不包括()A 原始粉料的粒度B 外加剂C 烧结温度D 烧结速度

考题 单选题自身釉烧结的温度是(  )。A B C D E

考题 单选题陶器完成的最后一道工序是()A 烧成B 上釉C 施釉D 浸釉

考题 单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A 低于体瓷烧结温度5℃B 低于体瓷烧结温度10℃C 高于体瓷烧结温度5℃D 高于体瓷烧结温度10℃E 以上均不正确

考题 单选题把坏体直接浸入釉中的是()A 上釉B 淋釉釉C 加釉D 浸釉法

考题 单选题现代常用的施釉方法有()A 上釉法B 淋釉釉C 喷釉法D 浸釉法

考题 单选题薄胎瓷、大花瓶等制品适宜用()上釉。A 浸釉法B 喷釉法C 浇釉法D 荡釉

考题 单选题上釉的烧结温度是(  )。A B C D E

考题 单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A 与体瓷的烧结温度相同B 低于体瓷烧结温度6~8℃C 低于体瓷烧结温度10~20°CD 高于体瓷烧结温度6~8℃E 高于体瓷烧结温度10~20℃