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单选题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。
A

低于体瓷烧结温度5℃

B

低于体瓷烧结温度10℃

C

高于体瓷烧结温度5℃

D

高于体瓷烧结温度10℃

E

以上均不正确


参考答案

参考解析
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考题 上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

考题 若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20~30℃B、高10~20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10~20℃

考题 用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

考题 自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

考题 上釉的烧结温度是A.低于体瓷温度5℃B.低于体瓷温度10℃C.低于体瓷温度20℃D.高于体瓷温度5℃E.高于体瓷温度10℃

考题 以下关于金瓷冠的描述,错误的是A、瓷层越厚越好B、镍铬合金基底冠较金合金强度好C、避免多次烧结D、体瓷要在真空中烧结E、上釉在空气中完成

考题 在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是A.31~40℃B.21~30℃C.10℃以内D.11~20℃E.5℃

考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

考题 上釉的烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

考题 单选题瓷粉堆筑的基本顺序是(  )。A 体瓷—切瓷—遮色瓷—透明瓷—上釉B 切瓷—体瓷一透明瓷一遮色瓷—上釉C 遮色瓷—切瓷—透明瓷—体瓷—上釉D 遮色瓷—体瓷—切瓷一透明瓷—上釉E 透明瓷—遮色瓷—体瓷—切瓷—上釉

考题 单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是(  )。A B C D E

考题 单选题若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度(  )。A 高20~30℃B 高10~20℃C 高10℃以内D 低10℃以内E 低10~20℃

考题 单选题在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是(  )。A 31~40℃B 21~30℃C 10℃以内D 11~20℃E 5℃

考题 单选题以下关于金瓷冠的描述,错误的是()A 瓷层越厚越好B 镍铬合金基底冠较金合金强度好C 避免多次烧结D 体瓷要在真空中烧结E 上釉在空气中完成

考题 单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A 与体瓷的烧结温度相同B 低于体瓷烧结温度6~8℃C 低于体瓷烧结温度10~20°CD 高于体瓷烧结温度6~8℃E 高于体瓷烧结温度10~20℃