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单选题
双对称旋转技术在治疗部位的电子束平均能量为(Mev)()
A

2.3

B

2.4

C

3.4

D

4.3

E

4.4


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题双对称旋转技术在治疗部位的电子束平均能量为(Mev)()A 2.3B 2.4C 3.4D 4.3E 4.4” 相关考题
考题 一肿瘤后援所在深度为4CM,问选用合适的放疗的电子束能量为()。A、8MeV–10MeVB、10MeV–12MeVC、14MeV–15MeVD、16MeV–17MeVE、18MeV–19MeV

考题 对高能电子束临床特点的描述,哪项不正确:()。A.肿瘤区域的剂量分布比较均匀,肿瘤后的正常组织剂量很小B.肿瘤前的正常组织剂量很低,远小于肿瘤剂量C.它适于治疗表浅,偏位部位的肿瘤D.它以单野照射较好,能量的选择依据肿瘤深度而定E.电子束能量不宜过高,合适的能量范围4Mev-25Mev

考题 对高能电子束临床特点的描述,哪项不正确( )A、肿瘤区域的剂量分布比较均匀,肿瘤后的正常组织剂量很小B、肿瘤前的正常组织剂量很低,远小于肿瘤剂量C、它适于治疗表浅,偏位部位的肿瘤D、它以单野照射较好,能量的选择依据肿瘤深度而定E、电子束能量不宜过高,合适的能量范围4Mev-25Mev

考题 串联电路中,分电阻为2、3及5奥姆,供应的电压为24伏特,电流为:()A、1.4B、2.4C、3.4D、4.4安培

考题 通常所说的200KVX射线指()A、最大能量为0.2MeV的“白色”Χ射线B、平均能量为0.2MeV的连续射线C、能量为0.2MeV的连续射线D、有效能量为0.2MeV的连续射线

考题 符合226镭特点的是()A、产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B、产生光子,平均能量1.25MeV,半衰期5.27年C、产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D、产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E、产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

考题 双对称旋转技术在治疗部位的电子束平均能量为(Mev)()A、2.3B、2.4C、3.4D、4.3E、4.4

考题 双机架角多野技术在治疗部位的电子束平均能量为()Mev。A、2.3B、2.4C、3.4D、4.3E、4.4

考题 有关全身电子束治疗的描述,不正确的是()。A、治疗皮肤NHLB、最大治疗深度4~5mmC、4~6MeV电子束D、10MeV以上能量电子束E、对皮肤皱褶部位需补充照射

考题 有一个电炉,其电阻是50奥姆,接于200伏特的电源上,则通过该电炉之电流为:()A、1.4B、2.4C、3.4D、4.4安培

考题 接地继电器分布在()车和()车。A、2.3B、2.4C、2.5D、3.4

考题 放射治疗高能电子束一般将肿瘤后缘深度取在85%深度处,若此深度为3cm,则电子束能量可以近似为()A、11MeVB、6MeVC、9MeVD、7MeVE、15MeV

考题 不同能量的电子束,有效治疗深度(cm)为电子束能量MeV的()A、2009-1-2B、1/3~1/4C、1/5~1/6D、1/7~1/8E、1/10~1/11

考题 如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是()A、2.33RsB、2.33R50MeVC、2.33R80MeVD、2.059RsMeVE、2.059R50MeV

考题 2006年,中国单位GDP能耗是印度的多少倍A、1.4B、2.4C、3.4D、4.4

考题 单选题如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是()。A 2.33RsB 2.33R50MeVC 2.33R50MeVD 2.059RsMeVE 2.059R50MeV

考题 单选题通常所说的200KVX射线指()A 最大能量为0.2MeV的“白色”Χ射线B 平均能量为0.2MeV的连续射线C 能量为0.2MeV的连续射线D 有效能量为0.2MeV的连续射线

考题 单选题对高能电子束临床特点的描述,哪项不正确( )A 肿瘤区域的剂量分布比较均匀,肿瘤后的正常组织剂量很小B 肿瘤前的正常组织剂量很低,远小于肿瘤剂量C 它适于治疗表浅,偏位部位的肿瘤D 它以单野照射较好,能量的选择依据肿瘤深度而定E 电子束能量不宜过高,合适的能量范围4Mev-25Mev

考题 单选题下同能量的电子束,有效治疗深度(cm)约为电子束能量(MeV)的多少()。A 1/3~1/2B 1/3~2/3C 1/3~1/4D 1/4~2/3E 1/5~1/4

考题 单选题一肿瘤后援所在深度为4CM,问选用合适的放疗的电子束能量为()。A 8MeV–10MeVB 10MeV–12MeVC 14MeV–15MeVD 16MeV–17MeVE 18MeV–19MeV

考题 单选题符合226镭特点的是()A 产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B 产生光子,平均能量1.25MeV,半衰期5.27年C 产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D 产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E 产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

考题 单选题放射治疗高能电子束一般将肿瘤后缘深度取在85%深度处,若此深度为3cm,则电子束能量可近似为()A 11MeVB 6MeVC 9MeVD 7MeVE 15MeV

考题 单选题不同能量的电子束,有效治疗深度(cm)为电子束能量MeV的()A 2009-1-2B 1/3~1/4C 1/5~1/6D 1/7~1/8E 1/10~1/11

考题 单选题活度为80Ci,平均能量为0.66MeV的同位素源,经过3个半衰期后,其平均能量为()A 0.08MeVB 0.22MeVC 0.33MeVD 0.66MeV

考题 单选题如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是(  )。A 2.33RsB 2.33R50MeVC 2.33R80MeVD 2.059Rs MeVE 2.059R50MeV

考题 单选题放射治疗高能电子束一般将肿瘤后缘深度取在85%深度处,若此深度为3cm,则电子束能量可以近似为()A 11MeVB 6MeVC 9MeVD 7MeVE 15MeV

考题 单选题有关全身电子束治疗的描述,不正确的是()。A 治疗皮肤NHLB 最大治疗深度4~5mmC 4~6MeV电子束D 10MeV以上能量电子束E 对皮肤皱褶部位需补充照射