网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
单选题
下列选项中,采用磁化技术制作的存储器是()。
A

硬盘

B

U盘

C

闪存卡

D

光盘


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题下列选项中,采用磁化技术制作的存储器是()。A 硬盘B U盘C 闪存卡D 光盘” 相关考题
考题 下列选项中,采用重油制取低碳烯烃工艺技术的是( )工艺。 A、MSCCB、MDPC、MGDD、DCC

考题 为了使存储器中的小碎片集中起来,通常采用存储器的“紧缩”或“澄清”技术。() 此题为判断题(对,错)。

考题 下列不能缩小内存与CPU之间速度差异的是() A、CPU中增加通用寄存器B、CPU和内存间增加CacheC、采用双端口存储器D、采用动态存储技术

考题 从操作系统存储器管理技术角度来看,DOS系统中采用的是();windows系统中采用的是()。

考题 下列选项中,( )是奔腾微处理器的新技术特点之一。A.采用VESA局部总线标准B.采用双Cache存储器C.向上全部兼容D.固化常用指令

考题 下列四种DRAM存储器中,没有采用“双倍数据速率”技术的是A.SDRAMB.DDR SDRAMC.DDR2 SDRAMD.DDR3 SDRAM

考题 下面4个叙述中能正确描述DDR3SDRAM存储器特点的是( )A.采用2位预取技术,存储器外部数据传输频率为存储器核心频率的2倍B.采用4位预取技术,存储器外部数据传输频率为存储器核心频率的4倍C.采用8位预取技术,存储器外部数据传输频率为存储器核心频率的8倍D.采用16位预取技术,存储器外部数据传输频率为存储器核心频率的16倍

考题 按存储器在计算机中的功能分类,下列选项中不属于存储器的是( )。A.高速缓冲存储器(Cache)B.主存储器C.辅助存储器D.CRT终端

考题 下列选项中,不适合采用示范法教学的是(  )。 A.作品欣赏 B.设计制作 C.技法学习 D.绘画表现

考题 下列选项中不适合采用示范教学的是( )。 A.作品欣赏 B.设计制作 C.技法学习 D.绘画表现

考题 下列选项中负责企业BIM发展及应用战略制作的是()。A、BIM战略总监B、BIM操作人员C、BIM技术主管D、BIM项目经理

考题 下列选项中,不能度量存储器容量的是()。A、KBB、MBC、BpsD、Byte

考题 下列选项中属于外存储器的是()。A、光盘B、硬盘C、U盘D、移动硬盘

考题 双端口存储器和多模块交叉存储器属于()结构。前者采用()技术,后者采用()技术。

考题 双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构,其中前者采用()并行技术,后者采用()并行技术。

考题 下列技术中不能有效减少转向架自重的是()A、采用焊接构架B、采用铝合金制作轴箱和齿轮箱C、采用有摇枕结构

考题 下列选项中()是RAM的后备存储器。A、ROMB、PROMC、EEPROM

考题 下列选项中,采用磁化技术制作的存储器是()。A、硬盘B、U盘C、闪存卡D、光盘

考题 下列各选项中,()是光盘刻录软件Nero Burning Rom的功能。A、制作数据光盘B、制作VCDC、制作可启动光盘D、制作CD

考题 下列选项中,不属于硬盘存储器主要技术指标的是()A、数据传输速率B、盘片厚度C、缓冲存储器大小D、平均存取时间

考题 下列选项中,不属于外存储器的是()。A、硬盘B、磁带C、ROMD、光盘

考题 下列选项中属于不能磁化的反磁物质的是()。A、钴B、镍C、铁D、铜

考题 单选题下列选项中,不属于硬盘存储器主要技术指标的是()A 数据传输速率B 盘片厚度C 缓冲存储器大小D 平均存取时间

考题 单选题下列选项中,不能度量存储器容量的是()。A KBB MBC BpsD Byte

考题 单选题下列选项中负责企业BIM发展及应用战略制作的是()。A BIM战略总监B BIM操作人员C BIM技术主管D BIM项目经理

考题 填空题双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构,其中前者采用()并行技术,后者采用()并行技术。

考题 填空题双端口存储器和多模块交叉存储器属于()结构。前者采用()技术,后者采用()技术。