网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
单选题
扩散硅压力变送器零位和量程跨接片接错，会造成（）。
A

零位和量程不能调到4mA和20mA

B

输入压力变化时，输出不稳定

C

输入压力不变时，输出摆动

D

无输出

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
更多 “单选题扩散硅压力变送器零位和量程跨接片接错，会造成（）。A 零位和量程不能调到4mA和20mAB 输入压力变化时，输出不稳定C 输入压力不变时，输出摆动D 无输出” 相关考题
考题 目前在电石厂中大量使用的1151系列差压(压力)变送器其结构及原理是属于()。 A.力平衡式压力变送器B.扩散硅压力变送器C.霍尔式压力变送器D.电容式压力变送器
查看答案
考题 压力变送器有()。 A.力平衡式压力变送器B.扩散硅式压力变送器C.电容式压力变送器D.电阻式压力变送器
查看答案
考题 一台1151压力变送器量程范围为0~300kPa，现零位正迁50%，则仪表的量程为()。A、150kPaB、300kPaC、450kPaD、250kPa
查看答案
考题 根据测量原理,压力变送器有()等。 A、压阻式(扩散硅式)B、电容式C、电压式D、液柱式
查看答案
考题 一台压力变送器量程范围为0~300KPa,现零位正迁移50%,则仪表量程为()。 A、150KPaB、300KPaC、450KPaD、250Kpa
查看答案
考题 对于配线架的割接工作中,扭转式和管状式卡接片都具备在跳线侧的卡接片成端卡接2根导线的性能。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 压力变送器可以带压检查零位。此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 压力变送器在检定前应做三个循环的操作，可对上下限进行调整直至其与标称值吻合，在调整过程中调量程（）零位，调零位（）量程。检定过程中不允许调整零位和量程。
查看答案
考题 扩散硅压力变送器是基于什么原理工作的，并简述它的特点。
查看答案
考题 采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值
查看答案
考题 扩散硅压力变送器的测量桥路不能实现的功能是（）。A、环境温度补偿B、获得线性输出C、提高测量精度D、改变量程
查看答案
考题 根据测量原理，压力变送器有（）。A、液柱式B、电容式C、电压式D、压阻式（扩散硅式）
查看答案
考题 压力变送器根据测压范围可分为压力变送器（0.001MPa～35MPa）、微差压变送器（0～1.5kPa）和（）三种。A、陶瓷压力变送器B、负压变送器C、应变式压力变送器D、扩散硅压力变送器
查看答案
考题 扩散硅压力变送器主要由哪两部分组成？
查看答案
考题 精度最高、稳定性最好、零漂最小的是（）A、扩散硅压力变送器B、单晶硅谐振压力变送器C、电容式压力变送器
查看答案
考题 扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的（）与被测压力成正比的原理工作的。
查看答案
考题 扩散硅压力变送器的测量桥路无法实现功能是（）。A、环境温度补偿B、获得线性输出C、提高测量精度D、改变量程
查看答案
考题 简述扩散硅压力变送器测量桥路的作用。
查看答案
考题 扩散硅压力变送器零位和量程跨接片接错，会造成（）。A、零位和量程不能调到4mA和20mAB、输入压力变化时，输出不稳定C、输入压力不变时，输出摆动D、无输出
查看答案
考题 扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性
查看答案
考题 扩散硅压力变送器电路板接线螺钉松动，使接触电阻变大，或电路板受潮，会造成（）。A、零位和量程不能调到4mA和20mAB、输入压力变化时，输出不稳定C、无输出D、输出数值呈非线性变化
查看答案
考题 扩散硅压力变送器输出电流始终在4mA以下，出现这种情况最有可能的原因是（）。A、传感器隔离膜片发生了位移B、硅片的两侧形成了差压C、桥路电源开路或扩散硅传感器开路D、量程微调电位器损坏
查看答案
考题 1151GP压力变送器的测量范围原为0～100KPa，现零位迁移100%。则：仪表的量程是多少？
查看答案
考题 扩散硅压力变送器测量桥路的作用是什么？
查看答案
考题 单选题扩散硅压力变送器电路板接线螺钉松动，使接触电阻变大，或电路板受潮，会造成（）。A 零位和量程不能调到4mA和20mAB 输入压力变化时，输出不稳定C 无输出D 输出数值呈非线性变化
查看答案
考题 单选题扩散硅压力变送器输出电流始终在4mA以下，出现这种情况最有可能的原因是（）。A 传感器隔离膜片发生了位移B 硅片的两侧形成了差压C 桥路电源开路或扩散硅传感器开路D 量程微调电位器损坏
查看答案
考题 单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A 硅晶体的压阻效应B 硅晶体的扩散效应C 硅晶体的应变效应D 硅晶体的半导体特性
查看答案
热门标签
最新试卷