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扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。
- A、硅晶体的压阻效应
- B、硅晶体的扩散效应
- C、硅晶体的应变效应
- D、硅晶体的半导体特性
参考答案
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考题
关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()A、在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。B、非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。C、多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。D、与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
考题
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥C、集力敏与力电转换检测于一体D、根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
考题
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A
激活杂质后B
一种物质在另一种物质中的运动C
预淀积D
高温多步退火
考题
单选题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。A
扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B
其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥C
集力敏与力电转换检测于一体D
根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
考题
单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A
硅晶体的压阻效应B
硅晶体的扩散效应C
硅晶体的应变效应D
硅晶体的半导体特性
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