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单选题
由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）
A

4

B

8

C

16

D

32

参考答案

参考解析
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考题 某存储芯片的地址线为24条，则该内存条的容量是(46)。A．16MBB．1MBC．4MBD．8MB
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考题 内存地址从 4000H 到 43FFH，共有____个内存单元，若该内存每个存贮单元可以存储16 位二进制数，并用 4片存储芯片构成，则芯片容量为___.
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考题 内存地址从4000H到43FFH，共有_（ ）_个内存单元。若该内存每个存贮单元可存储16位二进制数，并用4片存储芯片构成，则芯片的容量是_（ ）_。A. 256 B. 512 C. 1024 D. 2048
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考题 内存按字节编址，地址从B4000H到DBFFFH，共有 160K个字节。若用存储容量为32K×8bit的存储芯片构成该内存，至少需要 （ ） 片。A.2 B.5 C.8 D.10
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考题 要组成容量为4M×8位的存储器，需要（）片4M×1位的芯片，或需（）片1M×8位的存储芯片。
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考题 采用4K×4位的SRAM存储芯片扩展成32KB的存储模块，需要这种规格的存储芯片（）片。
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考题 由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条，所需该存储芯片的片数为（）。A、4片B、8片C、16片D、32片
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考题 某半导体静态存储器芯片的地址线为A12～A0，数据线D3～D0，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A、2片B、4片C、8片D、16片
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考题 由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）A、4B、8C、16D、32
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考题 CPU高速缓存是采用以下哪种存储芯片（）A、EPROMB、SRAMC、FLASH ROMD、DRAM
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考题 目前计算机中所配的内存条使用的存储芯片种类为（）A、PROMB、DRAMC、CacheD、EPROM
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考题 4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为（）条，由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）片。
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考题 片选信号为101时，选定一个128K8位的存储芯片，则该芯片的所在存储单元空间的首地址为（），末地址为（）。
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考题 用4K×8的存储芯片，构成64K×8的存储器，需使用多少片（）A、128片B、16片C、8片D、32片
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考题 若选用1K×4存储芯片组成容量为8K×8的内存，则需要（）这样的存储芯片。A、8片B、2片C、6片D、4片
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考题 某半导体静态存储器芯片的地址线为A12-AO，数据线为D3~DO，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A、16片B、8片C、4片D、2片
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考题 由2K×4的芯片组成容量为4KB的存储器需要（）片这样的存储芯片。A、2B、4C、8D、16
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考题 某半导体静态存储器芯片的地址线为A13一AO，数据线为D7一DO，若组成容量为32KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A、16片B、8片C、4片D、2片
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考题 单选题某容量为256M的存储器，由若干4M*8位的DRAM芯片构成，该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是：（）A 19B 22C 30D 36
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考题 单选题由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条，所需该存储芯片的片数为（）。A 4片B 8片C 16片D 32片
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考题 填空题4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为（）条，由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）片。
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考题 单选题某半导体静态存储器芯片的地址线为A12-AO，数据线为D3~DO，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A 16片B 8片C 4片D 2片
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考题 填空题采用4K×4位的SRAM存储芯片扩展成32KB的存储模块，需要这种规格的存储芯片（）片。
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考题 单选题某半导体静态存储器芯片的地址线为A12～A0，数据线D3～D0，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A 2片B 4片C 8片D 16片
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考题 填空题要组成容量为4M×8位的存储器，需要（）片4M×1位的芯片，或需（）片1M×8位的存储芯片。
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